テクノロジー
SRAMの5倍の記憶密度を目指す新型メモリ「Z2RAM」登場、AIチップの常識を変えるか
元Intel CEOのPat Gelsingerが取締役を務めるNagare LabsがメモリZ2RAMを発表した。SRAM比5倍の密度という計画値をGroq 3 LPUに当てはめると、1兆パラメータ級に要るチップは1,024個から約205個に減る。実測はこれからだ。
Topic
半導体製造
Semiconductor Manufacturing
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テクノロジーIBM、Rapidusの地元・千歳に新拠点を開設、2nm半導体の量産へ残る「資金調達の壁」
日本IBMが北海道千歳市に新事業所を開設した。Rapidusが2027年度後半に目指す2nm世代の量産に向け、次の確認点は技術支援よりも資金面にある。政府出資の累計予定6500億円のうち、未実施の4000億円は各年度の財政投融資要求が認められて初めて実施される。
テクノロジーIntelとAMDが協業を協議、長年のライバルが手を組む可能性：半導体製造への波及はあるか
IntelのTan CEOがAMDとの協業の可能性を話したと報じられた。既存のソフトウェア協業、用途別設計、先端実装をたどり、外部売上の約5.1%という比率とAlteraの会計要因から商業化の条件を読む。
テクノロジーIntelがClassiq買収に合意、量子回路の自動設計と実機開発をつなぐ構想
Intelが量子ソフト企業Classiqの買収に合意した。既存の量子SDKに、目的の記述から回路を組み立てる技術と誤り訂正を含む実行計画を加える構想だ。各ソフトの役割と実機検証の課題、日本の提携にも関わる他社ハード対応の継続方針を読む。
テクノロジーメモリを演算器の上へ、Micronが接合とHigh-NAで進める次世代DRAM
Micronは次世代DRAMでウエハー接合やHigh-NA EUVを導入し、vHBM・vEIMの初代は2028年の量産を目指す。セル製造、セル自体の3D化、演算器上への積層の違いを、周辺回路の熱工程と放熱設計から読み解く。
テクノロジーTSMCの先端半導体技術「CoWoS」が最大20%値上げか、AI需要急増で製造能力が限界に
TSMCの先端実装技術「CoWoS」に見積もり最大20%引き上げの観測が浮上した。真偽の境界と、AIチップの巨大化が引き起こす供給摩擦の物理的背景を読み解く。
テクノロジーAppleにも値引きせず？中国DRAM大手CXMT、Samsungなど世界大手3社並みの価格を提示と報道
Appleからの値引き要請を退けたとされる中国CXMT。国内顧客の旺盛な需要による生産逼迫、急速に拡大するウェハー投資計画、そして米国規制下で難航するHBM開発の実態を公的データから検証する。
テクノロジー中国YMTCが次世代DRAM開発、9,600 MT/sの高速転送を目指す新構造を採用
YMTCのDRAM開発は、9,600 MT/sを目指す別設計へと具体化した。VCT、Xtacking、3D DRAMの違いを整理し、CXMTの量産公表と照らして技術と供給の進展を読む。
テクノロジー中国SMIC、EUVなしで先端半導体を製造 それでも「量産コスト」が大きな壁になる理由
液浸DUVの多重露光で先端チップの製造を続ける中国だが、露光回数の増加はマスク費用や製造期間の膨張、歩留まり低下を招く。物理的な微細化と量産経済性の乖離を技術的証拠から読み解く。
テクノロジーSamsung、米国2nm半導体工場に追加設備を発注か？2027年に月産2万枚体制へ
米テイラー第1工場への2nm設備追加発注が報じられた。月6000枚分の追加と月2万枚の見通しの内訳を解き、SF2の量産開始や米政府の2030年計画と何が違うのかを確認する。
テクノロジーGeForce RTX 5090が大量に解体されAIサーバー向けに改造、香港メディアが衝撃の作業現場を公開
香港HKEPCが公開したGeForce RTX 5090の分解・再実装映像は、市販カードからGPUと32GB GDDR7を取り外し、高密度サーバー用ブロワー基板へ載せ替える実態を示している。正規版D v2との性能差や熱設計のリスク、供給網の制約を技術的視点から整理する。
テクノロジーTSMCが「レアアース不要」のモーター導入を検討、中国依存からの脱却へ
TSMCが工場自動化設備のモーターでレアアース依存を減らす検討を進めているとReutersが報じた。中国の材料規制と部品供給の関係、磁石を使わない技術の実例から、採用までの課題を読み解く。
