テクノロジー
TSMC台中工場の建設前倒しと1.4nm量産計画、公表スケジュールと報道の乖離を読み解く
TSMC台中Fab 25の建設が加速し2027年4月に設備試運転が始まると報じられたが、公式ガイダンスは2028年量産開始を堅持している。建屋竣工とプロセス確立の違いを現地一次情報から検証する。
Topic
半導体製造
Semiconductor Manufacturing
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テクノロジーKeplerがEUV不要の強誘電体AIメモリを発表 28nmファブ改修でHBMの10倍容量へ
米Kepler Computingが7年のステルスを経て、EUV露光を使わず28nmファブ改修で製造する強誘電体AIメモリを発表した。SRAM並みの電力効率とHBM比10倍の容量を掲げ、AIインフラの供給制約打破を目指す。
テクノロジーJDI茂原工場売却に米Micronや韓国基板大手が名乗り、後工程転用で約550億円規模の協議へ
JDIが閉鎖した茂原工場の売却を巡り、米Micronや韓国の半導体基板大手が買収協議に参加している。約5000億ウォン規模の交渉が進み、第6世代ラインの建屋と電源を先端パッケージングやデータセンターへ転用する動きが加速する。
テクノロジー世界初のSiCスーパージャンクションMOSFETが登場：1,635V耐圧と「高温ゼロ温度ドリフト」が挑むパワー半導体の物理限界
中国の瑶芯微電子が世界初の1,635V耐圧SiCスーパージャンクションMOSFETを発表した。実働域でのオン抵抗ゼロ温度ドリフトと高温電流密度166%向上を達成し、AIデータセンター給電やEVの電力密度革新に挑む。
テクノロジーデータセンター全体を1個の半導体に、PanmnesiaとMetaが示す「CXL密結合」の設計図
PanmnesiaとMetaがCXLを用いてデータセンター全体を単一チップのように密結合する次世代AIインフラ設計を発表した。ラック間通信の遅延を数百ナノ秒へ短縮し、最大960基のアクセラレーターで共有メモリ空間を構成する。
テクノロジーCXMTとYMTCがASML装置を3年分確保との報道、メモリ増産を支える備蓄の条件
中国メモリ2社が、今後3年の拡張計画に必要なASML製DUV装置を確保したと報じられた。装置の用途と保守・部品供給を整理し、備蓄が増産計画を支える条件を読み解く。
テクノロジーSamsungは2028年、TSMCは2030年にHigh-NA EUV導入へ
SamsungとTSMCは大型マスクの完成前にHigh-NA EUV量産へ踏み出す。2028〜2033年の工程表から、解像度を先取りし処理能力を後で高める二段階移行を読み解く。
テクノロジーIntelの高NA EUVが累計100万枚、TSMC参加で12インチマスクは2033年の量産目標へ
IntelのHihg-NA EUV累計100万枚が示す工程学習の意味を検証し、TSMCとASMLが掲げた2030〜2033年の12インチマスク移行計画と量産上の制約を読み解く。
テクノロジー仏Mistral AIが欧州過去最大の30億ユーロ調達、Samsungと組み半導体製造にオンプレミス「ソブリンAI」を直結
仏Mistral AIがSamsung Electronicsを筆頭に欧州最大となる30億ユーロを調達した。機密保持が求められる半導体ファブへ向け、外部と遮断したオンプレミス環境で欠陥検知や歩留まり安定化を担う専用モデルを共同開発し、ソブリンAIの実用化を進める。
テクノロジーIntelが10月にPC向けCPUを約10%値上げか？粗利率優先が鮮明に
Intelの10月PC向け約10％値上げ報道を起点に段階的改定とサーバー優先の供給配分をたどり、粗利率重視への転換と18Aや14Aの量産など供給制約の出口条件を読み解く。
サイエンス曲がって透ける「光のチップ」、MITが300mmウェハー規模で製造
MITとNY Createsは、透明性と柔軟性を持つ光集積回路を300ミリウェハー全体で製造する手法を開発した。既存の半導体製造装置を活用し、数マイクロメートルの薄膜導波路を剥離する技術だが、実用化には能動素子の集積など検証すべき課題が残る。
テクノロジーEUV規制回避の決定打か、中国製半導体装置「選択比500倍」の真偽を検証する
中国NAURAがCSTIC 2026で発表した3D DRAM向けSiGe/Si選択エッチング技術は、64層で選択比500倍超を示す一方、装置名やスループットは未公開でCXMT採用も裏付けられていない。