テクノロジー
Samsung営業利益19倍でも株価10%安、メモリ新工場は2034年でも間に合わない
AIブームで記録的決算が続くメモリ半導体市場だが、Samsung株は逆に下落した。新工場着工から量産まで3年超、SK hynixの本格増産は2034年目標という供給ラグと、過去2度のブーム&バストサイクルとの定量比較から今回の高騰の行方を検証する。
Topic
半導体製造
Semiconductor Manufacturing
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サイエンス「電子の渋滞」をゼロにする新構造——KAISTが2次元素材で半導体の接触抵抗を無効化
韓国の研究チームは、単一の二セレン化白金薄膜内に半金属と半導体の領域を連続して形成し、金属電極との接合部で生じる接触抵抗を解消する技術を開発した。原子レベルの観察で電子の渋滞がないことを証明しており、次世代チップの低消費電力化に貢献する。
テクノロジー独・ポーランドは撤退、Intelはアイルランドに3兆円超を集中させる
Intelがアイルランド・Leixlipに50億ユーロを追加投資。3カ月前の142億ドルでの株式買い戻しと合算すると約199億ドルが集中する一方、独・ポーランドの新工場計画は完全撤回されており、欧州戦略の実態は「選択と集中」にある。
テクノロジー2027年にメモリ不足が最悪化へ、SK hynixの増産がすぐ効かない理由
SK hynix CEOは2027年に史上最悪のメモリ供給不足を予測した。AI需要がDRAMとNANDへ広がる一方、龍仁と清州の増産設備は2027年から2029年に段階的に立ち上がる。
テクノロジーTSMCのCoWoS不足で外注拡大、Intelと台湾OSATでは商機の中身が違う
AI半導体向け先端パッケージ技術の需要急増を受け、TSMCは供給不足を解消するため外部企業への委託や連携を拡大している。この状況は、Intelの競合技術や台湾OSAT各社独自のパッケージ方式に商機をもたらし、供給網の勢力図に変化を与えている。
テクノロジー台湾DRAMメーカーNanyaが2027年に2,000億台湾ドル超を投資へ：新工場は2028年量産開始の計画
南亜科技は2027年に2,000億台湾ドル超を投じる予備計画を示した。価格急騰で得た現金を新工場へ回し、2028年までに月産3万枚の能力を立ち上げる。
テクノロジー世界生産シェアわずか1.6%の中国によるヘリウム輸出禁止はなぜ世界の半導体市場に大きな影響を与えるのか
Intel CEOが2026年6月に指摘したヘリウムの供給リスクは、3週間後の中国による輸出禁止と直接つながらない。両者に共通するのは3月のカタールでの攻撃と生産停止であり、生産シェア1.6%の中国が輸入依存国として異例の措置に踏み切った背景を、世界供給網の時系列から読み解く。
サイエンス厚さ14μmのチップ10層超積層に成功、HBM4量産の目安30μmとの距離
POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。
テクノロジー量産開始まで1年半、2.9兆円の政府支援とRapidusの歩留まりの綱渡り
Rapidusは2027年度後半に量産予定の2nm半導体価格を、参考価格300万〜350万円としてTSMC以下の水準に設定する方針を示した。報じられた価格の主語や歩留まり、契約先の実名など実現の鍵を握る材料は依然公表されていない。
テクノロジー265億ドル調達でAlibaba超えのSK hynix上場、消えないPER6倍未満の壁
SK hynixが2026年7月10日にNASDAQ上場し265億ドルを調達、外国企業史上最大のIPOとなった。だが予想PERは業界中央値を大きく下回ったままで、Korea discount解消の実証にはなお課題が残る。
テクノロジーMicron、米国投資を2500億ドル超へ。NYのDRAM供給は2030年以降に
Micronは2035年までに米国内で2500億ドル超を投じる計画を発表し、ニューヨーク州の新工場で基礎工事を開始した。供給網確保のため材料調達も強化するが、新工場の稼働は2030年以降となる見通しで、巨額投資の成果が出るまでには長期を要する。
テクノロジー400ドル以下スマホは22%減、400ドル超は5.7%増。メモリ高騰が生む二極化の正体
Omdiaは2026年7月7日公開のブログで、AI需要によるメモリ高騰を背景に400ドル以下スマホの出荷が2026年に前年比22%超減る一方、400ドル超は5.7%増えると予測した。二極化の構造とメーカーへの影響を分析する。