テクノロジーDEEP
なぜTSMCとSamsungはHigh-NA EUVの導入を遅らせ、Intelは18Aで先に使うのか
High-NA EUVの採用時期は、装置の解像度より良品ウェハー当たりの総費用と量産学習の価値で決まる。TSMC、Samsung、Intelの判断差を既存資産と工程削減の採算から読み解く。
Topic
半導体製造
Semiconductor Manufacturing
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テクノロジーRapidusが「世界初」の大型ガラスインターポーザを公開、2028年量産への道筋
Rapidusが600×600mmガラスパネル上に8レチクル（6,640 mm²）のインターポーザを2030年までに実現するロードマップを公表した。300mmウェハー比で12倍以上の取得効率を掲げ、TSMCのウェハーベース路線とは異なる製造原理でAIチップの大型化に挑む。
テクノロジーDEEP工場拡張ではなく研究所。Micronが100億ドルを投じた先に見える戦略転換
Micronがボイジーに10年100億ドルの研究拠点設立を発表し、Jensen HuangとTim Cookが祝辞を送った。同時期WDは東北大学とAI研究拠点を稼働。HBM優先の生産再配分が招くメモリ高騰の中、米国と日本で進む頭脳争奪戦を読み解く。
テクノロジー中国半導体装置「利益400%増」の実像：2年待ちで商機はどこまで広がるか
中国の半導体装置各社は売上を伸ばすが、400%超の利益増には評価益と赤字反転が混在する。世界的な装置不足を恒久的なシェアへ変える条件を決算から検証した。
サイエンスタッチスクリーンのガラス上で2000℃を実現する光パルスの技術
ヘブライ大学がミリ秒パルス光で酸化ビスマス薄膜を約2000℃に瞬間加熱し、基盤ガラスを100℃以下に保ったまま亜安定β相を室温固定した。光電流は最大50倍。炉では到達できなかった「相の可逆書き換え」が透明導電ガラス上で可能になった。
テクノロジー中国向けSF4は最大15%上昇か Samsungが米国顧客を優先とReuters報道
SamsungのSF4新規受注は米国・中国で10〜15%、台湾で5〜10%上昇したとReutersが報じた。中国需要が供給能力を上回る一方、米国優先と自社向け留保が生産枠を絞る。
サイエンスAIが設計した光チップ部品、従来比500分の1の面積で同じ仕事をする
マックス・プランク光科学研究所とハーバード大学のチームが、逆設計アルゴリズムで窒化ケイ素フォトニックチップの波長分波器・モード分波器・ミラーを従来比最大500分の1の面積に縮小し、Nature Communicationsに発表した。研究者らの知る限り厚膜窒化ケイ素上では初の実証であり、量子フォトニクス集積への道を開く。
テクノロジーATLANT 3DのLITEを匿名AIハイパースケーラが発注、原子精度の成膜は何を速めるのか
ATLANT 3DがAIハイパースケーラーから原子層堆積装置を受注した。本装置は微小ノズルによる直接描画で異なる条件の薄膜試料を迅速に作製できるため、AIが生成した新材料候補の物理検証と学習データの生成速度を向上させることが期待される。
テクノロジーDDR5メモリ価格が1年で5倍に。「AIがメモリを食う」時代の構造と出口
AI向けHBMがDRAM生産能力を吸収し、DDR5メモリ価格が世界的に前年比4〜5倍へ急騰した。Micronは供給不足が2028年まで続くと警告しており、消費者向けメモリ市場の構造変化が不可逆になりつつある。
テクノロジー米国のPax Silica書簡案、AI協力を「選択」の条件へ変える可能性
米国務省がAI協力国に、中国主導枠組みとの二重参加を認めない書簡案を準備した。未送付の草案だが、Pax Silicaが排他的な供給網連合へ変わる可能性を示す。
テクノロジーYMTC系ファンドがFD-SOIへ出資、EUV回避より重い28nm量産の壁
YMTC系ファンドが広州のFD-SOI企業へ出資した。EUVを使わない28nm級ロジックの量産を狙うが、実績は未確認で、歩留まりと顧客採用が成否を分ける。
テクノロジーApplied Materials、先端パッケージ売上成長見通しを70％超へ引き上げ
Applied Materialsが2026年の先端パッケージ売上成長見通しを70％超へ上方修正。HBM投資の拡大と、中国売上の比率低下・金額維持が同時に進む実態を読み解く。