テクノロジー
QualcommがHuaweiの米国特許を買い取りへ、5G・AIの相互ライセンスで合意
QualcommとHuaweiが5G・AIなどの相互ライセンスと、一部の米国特許の買い取りを発表した。過去の契約や両社の特許事業をたどり、利用許諾と権利取得の違い、チップ供給との関係を読み解く。
Topic
半導体製造
Semiconductor Manufacturing
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テクノロジー中国製メモリ検査装置が受注拡大、HBM国産化を左右する工程ごとの実力
中国の精智達で検査装置の受注と売上が伸びている。公式の製品仕様を工程別に比べ、HBMが検査能力を必要とする理由と、大型契約だけでは量産採用を判断できない理由を解説する。
テクノロジーマスク氏の「Terafab」にTSMC参画案 ロジック・メモリ・先端実装を集約する巨大計画
マスク氏がTerafabをめぐるTSMCとの協議を確認した。提携は未確定だが、所有と運営をTSMCが担う案が報じられている。州の投資計画、熊本JASMの出資構造、Arizonaの量産日程から、資金と製造の分担を読み解く。
テクノロジー液晶工場をメモリー検査へ、Micronの台湾四拠点拡張が示す増産の分担
Micronの台湾四拠点拡張を、ウェハー製造・HBMパッケージング・検査に分けて分析。累計1.6兆台湾ドルの意味、既存施設の転用、南亜科技の屏東工場認可が示す変化を公式資料と現地取材で確かめる。
テクノロジーAIブームはまだ始まりにすぎない？ ASML CEOが見る「10〜15年先」の半導体需要
ASMLのFouquet CEOは、AIの社会・産業への影響を10〜15年で見通す。公式資料から装置増産とHigh NA導入の時間差を整理し、光学部品の供給制約とMistralとの工程AI活用を読み解く。
サイエンス半導体材料「ハフニア」に新たな性質 0.6nmでも反強誘電性を維持
10% La添加ハフニアの単結晶薄膜で、圧縮ひずみ下の真性反強誘電性を0.6nmまで実証。850±50℃の意味と、蓄電・冷却・メモリへ進むために未測定の性能指標を一次論文から読み解く。
テクノロジーTSMC、1.4nm半導体を2028年後半に量産へ Intelとは異なり次世代EUVをあえて使わない理由
TSMCの1.4nm（A14）は2027年試産、2028年量産へ順調に進む。High-NA EUVを見送るLow-NA多重露光とNanoFlex Pro、2029年に97%光学微縮を行うA13がもたらす歩留まりと経済性の優位を解説する。
サイエンス半導体の深い溝を埋めて表面も平らに、ASMが新カーボン膜を量産工程へ初期導入
ASMは溝の充填と表面平坦化を一つのPECVD工程で行う炭素膜を発表し、量産工程への初期導入を明らかにした。2023年からの開発史と、未公表の性能指標を検証する。
テクノロジー1b DRAMがTSMCの2nmを54％上回る試算、価格を同じ面積で比べる落とし穴
1b DRAMの面積当たり価格がTSMC N2より54％高いという試算を検証。逆転の境界価格を計算し、現物と契約、HBMへの生産配分が示す限界を一次資料で追う。
テクノロジーシリコンの代わりに2D材料を直接育てる、元TSMC研究者らの「Nexstrom」が1200万ドル調達
2D材料TMDを300mmウェハー上で直接成長させる装置を開発するNexstromが、1200万ドルのシード資金を得た。公表資料は300mm達成を掲げるが、CEOは12インチ完了を10月末予定と語る。転写方式が先行する業界での同社の位置を、成膜温度とimecの導入時期から検証する。
テクノロジーAMDが時価総額1兆ドルを突破、株価600ドル到達の背景にある「6GWメガワラント」とAIサーバー基盤
米AMDの時価総額が1兆ドル、株価が600ドルを突破した。この節目はOpenAIやMetaとの最大6GW導入ワラント条項の最終目標株価と連動しており、AIインフラ契約とEPYC主導のエージェント基盤が企業価値を押し上げている。
テクノロジーAIの重大事故を互いに知らせる制度、米が中国に提案 対話合意の先に残る運用課題
米国が中国に、国家安全保障に関わるAI事故の通知制度を提案した。米中の公表記録と過去の協議を照合し、OECDの報告枠組みを手掛かりに、通知基準や共有情報など実効性を左右する条件を解説する。
