
DRAMとNANDの高騰はいつ終わるのか?Micron、Samsung、SK hynixが示す2028年の条件
AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。
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Semiconductor Manufacturing
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AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。

大阪公立大学などのチームは、磁気光学材料と相変化材料を組み合わせ、熱の吸収と放射の割合を独立して制御する非相反熱放射デバイスを開発した。ほぼ垂直な角度での動作に加え、電力供給なしで状態を保持できる不揮発性を実現し、熱利用効率を劇的に高めた。

AI向けHBMの記録的収益を背景に、SK hynixが設計エンジニア数百人規模の採用と学歴要件廃止を同時実施した。ボーナス格差が拡大する中でSamsungからの人材流出が指摘され、韓国ファブレス中小企業の人材確保にも深刻な影響が及びつつある。韓国半導体エコシステムの重力構造が塗り替わりつつある。

MarvellのCXL製品群「Structera」は、インライン圧縮技術により物理容量を超えるメモリ拡張を実現し、AIサーバーの設計制約を解消する。CPU外の専用デバイスで圧縮や計算、ラック内でのメモリ配分を行うことで、次世代の効率的なメモリ階層を構築する。

ソウル大学の研究チームは、強誘電体メモリの電圧制御により、決定論的な演算と確率的な乱数生成を自在に切り替えられる新素子を開発した。電子の揺らぎを利用して生成AIに必要なカオスと秩序を単一デバイスで両立し、電力効率と省スペース化を劇的に向上させた。

米Micronは決算説明会で、中国のCXMTとYMTCが市場シェアを伸ばしている現状を認めた。中国勢は国内需要を吸収する供給源として存在感を増しており、AI需要による世界的なメモリ供給逼迫が続く中で、国際的な需給や価格形成に波及し始めている。

IBMが世界初のサブ1nm半導体技術「ナノスタック」を発表。トランジスタを3次元に積層する新設計で爪サイズのチップに約1000億個を集積し、2nmチップ比で最大50%の性能向上または70%の省エネを実現した。量産化は5年後の見通しで、Rapidusなどとの製造ライセンス展開が焦点になる。

オランダの研究機関TNOとASMLは、次世代光チップの産業化に向けた提携を発表した。建設中のパイロットラインに露光装置や計測技術を導入し、製造工程の安定性を高めることで、研究段階から高品質な量産体制への移行を加速させる狙いがある。

QualcommがHBC(High Bandwidth Compute)技術を発表。LPDDRメモリ直下にコンピュートを3D積層するアーキテクチャでカード1枚あたり133 TB/sの実効帯域幅を実現し、HBM依存のNVIDIAアーキテクチャに対してコスト・電力効率・製造能力の三正面から挑む。

AI向け高帯域幅メモリ(HBM)の需要急増でDRAMウェハーが奪われ、コンシューマー向けDRAMが前四半期比で最大107%高騰した。この構造的な供給圧迫は2027〜2028年まで続く見通しで、PCは最大17%、スマートフォンは13%の価格上昇が予測されている。

米主導の半導体供給網構想にオランダが正式参加し、ASMLの製造装置を巡る実務的な輸出統制が強化される。米国はMATCH法案を通じて同盟国に規制の足並みを揃えるよう迫っており、先端AIチップのみならず幅広い製造工程の管理を目指している。

SK hynixは、AIメモリの増産に向けた資金調達のため、米国ナスダック市場への上場を申請した。最大約1,779万株の新株を発行し、調達した資金は次世代HBMの生産能力拡大に不可欠な龍仁の新工場建設やEUV露光装置の取得などに充てる計画だ。