中国によるAI蒸留攻撃を米政府が国家問題化:中国拠点の数万代理アカウントを警戒
米ホワイトハウスは、中国を主な拠点とする外国主体が米国製フロンティアAIモデルの出力を大量に収集し、能力を抽出する「敵対的蒸留」キャンペーンを実施していると発表した。これは、API利用による技術移転を国家間の経済スパイ問題として扱い、AIモデルの盗用に対する政策転換と対応策の検討を促すものだ。
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Semiconductor Manufacturing
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米ホワイトハウスは、中国を主な拠点とする外国主体が米国製フロンティアAIモデルの出力を大量に収集し、能力を抽出する「敵対的蒸留」キャンペーンを実施していると発表した。これは、API利用による技術移転を国家間の経済スパイ問題として扱い、AIモデルの盗用に対する政策転換と対応策の検討を促すものだ。
SpaceXはIPOに向けたS-1登録書で、将来の大規模設備投資の一部として自社GPU製造を挙げ、チップ供給の不安定さを投資家へのリスクとして開示した。これはNVIDIA依存からの脱却というより、StarlinkやxAI、宇宙データセンター構想など、Musk氏傘下の複数事業における計算資源の安定確保を目的とした垂直統合オプションである。Intel 14Aプロセスを用いたTerafab構想と連携し、AIアクセラレータの内製化を目指すものの、その実現には大きな技術的・経済的リスクが伴う。
Bolt Graphicsは高性能GPU「Zeus」のテストチップのテープアウトに到達したが、量産時期は初期告知の2026年後半から2027年第4四半期へと後ろ倒しになった。このテープアウトは設計の前進を示すものの、実性能や量産を保証するものではなく、今後の実測値や事業化の進展が注目される。
TSMCはA13プロセス技術を発表したが、これはA14の後継ではなく、A14をベースにした縮小版と位置付けられている。A13はA14との完全後方互換を保ちつつ6%の面積削減を実現し、顧客の設計移行負担を抑えることを重視した派生ノードである。この発表は、A12やN2U、先進パッケージ技術と合わせて、TSMCが先端ロジックと先進パッケージの全体的な更新周期を提示していることを示している。
Googleは、AIエージェントの台頭によるインフラ要求の変化に対応するため、第8世代TPUで学習特化の「TPU 8t」と推論特化の「TPU 8i」という2つの独立したチップを導入した。これにより、フロンティアモデルの学習時間短縮と低遅延推論を実現し、用途特化によるパフォーマンスと電力効率の最大化を追求している。
CATLは「2026 Tech Day」で、10%から98%まで6分27秒で充電可能な第3世代Shenxing LFPバッテリーを発表し、BYDのBlade Battery 2.0を上回る急速充電性能と-30°Cでの優れた冬季性能を実現した。また、NCM系のQilinバッテリーやPHEV・EREV向けバッテリーなど、幅広い製品群で包括的な技術革新を示し、EV市場の覇権争いを加速させている。
AI半導体の性能向上を阻む「メモリウォール」打破のため、各社は広帯域メモリ(HBM)の開発に注力している。ASMLの2026年第1四半期決算では、メモリ向け装置の売上がロジック向けを上回り、半導体産業の主役がロジックからメモリへ交代する転換点を示した。 韓国メーカーがEUV装置の大量購入によりHBM生産能力を急拡大しており、AIインフラ投資の加速が最先端半導体製造装置の供給不足を深刻化させている。
中国YMTCは、既存工場に加え新たに3工場を建設し、合計で月産30万枚の生産能力増強を計画している。これは2026年に価格高騰が続くメモリ市場に対し、具体的な供給能力の上積みを意味するが、実際の市場への影響は工場の稼働時期と製品の配分先によって左右されるだろう。
Appleは、TSMCのA16(1.6nm)プロセスをスキップし、より高性能なA14(1.4nm)に直行することで、半導体ロードマップの最前線を確保する戦略だ。この選択は、開発サイクルと製造コストを最適化し、競合他社に先行して製品差別化を図ることを目的としている。TSMCは2028年後半にA14の本格量産、2029年にはサブ1nm世代のA10の試験生産を目指しており、Appleとの関係が今後の半導体覇権を決定づける見込みだ。
Teslaは次世代AIアクセラレータ「AI5」のテープアウトを達成し、SamsungとTSMCによる分担生産で2027年の量産を目指している。しかし、AI5の遅延によりCybercabへの搭載は次世代車両更新サイクルまでずれ込む見込みで、コストと消費電力あたりの性能比を追求した設計となっている。
米国からの制裁下にあるYMTCは、武漢に30億ドル超を投じ新工場3棟を建設し、国産設備比率50%超の生産ラインでNANDフラッシュの生産能力を大幅に拡張している。これは制裁が中国半導体産業の国産化を加速させるという皮肉な結果を生み出しており、2026年末の世界シェア15%獲得を目指す。
アアルト大学と北京大学の国際研究チームは、極薄で脆いファンデルワールス材料にアルミニウムの保護層を施してから微細加工を施すことで、光回路の主役となるナノ構造を形成する新技術を開発した。このブレイクスルーにより、電子回路の限界を克服し、高速かつ省電力な次世代光コンピューティングの実現に道が開かれる。