テクノロジー
KIOXIAとSanDisk、次世代の332層3D NANDフラッシュメモリ技術を発表：33%の高速化と省電力化を実現
KIOXIAとSanDiskは、共同開発した第10世代3D NANDフラッシュメモリ技術を発表した。この新技術は、インターフェース速度、ビット密度、電力効率を大幅に向上させ、AI時代におけるデータストレージの進化を牽引す […]
Company
Yangtze Memory Technologies Corp
中国のフラッシュメモリ（NAND）製造大手。
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テクノロジーSK hynix、世界初の321層NANDフラッシュメモリの量産開始 – 半導体業界で新たな技術革新
SK hynixは、世界初となる321層4D NANDフラッシュメモリの量産を開始したことを発表した。1テラビットの記憶容量を持つこの新製品は、独自の「3プラグ」製造プロセスを採用し、2025年上半期から顧客への出荷を開 […]
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テクノロジー中国、半導体ファンドに7兆4,500億円を投資、国産半導体開発を加速へ
中国は半導体産業の西側諸国からの脱却を更に進めるべく、チップ投資ファンドに過去最大規模となる3440億元以上（7兆4,500億円）の巨額資金をつぎ込んでいることが明らかになった。 中国は国産半導体開発に巨額の資金を投じ続 […]