Samsung Electronicsは2026年11月12日、韓国・牙山市の温陽事業所で、広帯域メモリー（HBM）向け先端パッケージング新工場の着工式を開いた。ChosunBizの報道によると、新工場の稼働目標は当初計画から約1年前倒しされ、2028年6月となった。Samsungは温陽に5本のHBM生産ラインを整備するため、総額46兆ウォンを段階的に投じる計画で、今回の着工によって拠点整備が本格的な建設段階に入った。投資額は、聯合ニュースが11月12日時点で示した換算で約5兆5300億円に相当する。
今回の投資で注目されるのは、HBMの製造に欠かせない積層・接続工程の生産能力を拡大する点だ。HBMはDRAMのダイを製造するだけでは完成せず、複数のダイを積み重ね、電気的に接続する工程を経る必要がある。新工場の稼働開始が前倒しされても、直ちにHBMの出荷量が増えるとは限らない。実際の供給能力は、生産設備の導入状況や量産開始後の良品率によって決まる。
総投資額46兆ウォンの約87%を生産設備に投入
温陽の投資計画46兆ウォンのうち、生産設備に充てられるのは40兆ウォンで、全体の約87%を占める。11月12日の聯合ニュースが報じた総投資額46兆ウォンと設備費40兆ウォンから計算した割合で、残る6兆ウォンは建設費となる。つまり、建物の建設そのものよりも、内部に導入する製造装置に多額の資金を投じる計画だ。これらは温陽の5ラインを対象とする段階的な投資計画の内訳であり、今回着工した新工場だけに投じられる金額ではない。
聯合ニュースによると、今回着工した第5ラインの新工場は3フロア構成で、クリーンルームの面積は約31,000平方メートルとなる。施設の拡張に伴い、温陽事業所全体の延べ床面積は現在の27万平方メートルから42万平方メートルへと、約1.6倍に拡大する見通しだ。ただし、新工場のクリーンルーム面積と、既存施設を含む事業所全体の延べ床面積は異なる指標であり、直接比較できるものではない。
一方、Asia Business Dailyの現場報道では、温陽におけるクリーンルームを備えた生産施設の拡張投資額を1.3兆ウォンと伝えている。この金額は、温陽の5ラインを対象とした総投資額46兆ウォンや、その内訳である建設費6兆ウォンとは対象範囲が異なる。1.3兆ウォンは生産施設の拡張に関する投資額として報じられたものであり、総投資額に単純に加算することは適切ではない。
今回の着工式は、韓国政府が11月12日に開催を予定していた第4次官民点検会議と併せて行われた。聯合ニュースとChosunBizも現地での着工式を報じており、温陽の生産能力拡張計画は建設段階へ進んだ。ただし、投資額の大部分を設備費が占めることからも分かるように、建屋の完成後には製造装置の搬入や設置、生産工程の調整が必要になる。したがって、建設工事と生産設備の導入は、それぞれの進捗を確認する必要がある。
なお、Samsungが6月29日に公表した投資計画では、天安と温陽を合わせた投資額は56兆ウォン、忠清地域全体のグループ投資額は140兆ウォンとされている。これらは温陽単独の46兆ウォンとは対象地域や公表時点が異なるため、区別して扱う必要がある。温陽の供給能力がどれだけ増えるかを判断するには、投資総額だけでなく、5ラインに導入される設備の内容と稼働時期が重要になる。
HBMの増産には積層・接続工程の拡張が不可欠
HBMは、複数のDRAMダイを垂直方向に積み重ね、シリコン貫通電極（TSV）を使って電気的に接続する高帯域メモリーだ。SamsungのHBM製品資料でも、この積層構造が説明されている。通常のDRAMと同様に半導体ウェハー上でダイを製造する前工程に加え、複数のダイを積層・接続して完成品に仕上げる高度なパッケージング工程が必要となる。韓国政府の発表でも、今回の温陽新工場は先端パッケージング施設と位置付けられている。
HBMの供給量を増やすには、DRAMダイの製造能力と、そのダイを積層・接続する工程の処理能力をともに確保しなければならない。前工程で大量のダイを製造できても、パッケージング工程の処理能力が不足すれば、完成品の出荷量は増えない。反対に、積層・接続設備を増設しても、必要な数のDRAMダイを確保できなければ設備を十分に活用できない。温陽への投資は、こうしたHBM製造工程のうち、完成品の供給能力を左右する先端パッケージングの拡張を目的としている。
次世代HBMでは、DRAMダイの積層数が増えるだけでなく、積層構造の基部に配置されるロジックベースダイも重要な役割を担う。Samsungが公表しているHBM4の仕様では、1cプロセスのDRAMと4nmプロセスのロジックベースダイを組み合わせ、12層構成で36GBの容量を備える。ピン当たりのデータ転送速度は最大13Gbpsとされている。
さらに、次世代のHBM4Eでは、1c DRAMと4nmロジックベースダイを使用しながら、最大16層、最大64GBまで拡張する計画だ。ピン当たりのデータ転送速度は最大16Gbps、1スタック全体のメモリー帯域幅は最大4TB/sを掲げる。容量は保存できるデータ量、ピン当たりの転送速度は個々の信号端子で転送できるデータ量の速さ、スタック全体の帯域幅は製品全体としてのデータ転送能力を表す。それぞれ異なる指標であり、積層数や容量の増加が、そのまま転送速度の向上を意味するわけではない。また、これらはSamsungが公表した製品仕様であり、温陽の新ラインで達成した量産実績ではない。
ChosunBizによると、温陽の第5ラインでは、第7世代HBMに当たるHBM4Eなどの次世代製品を生産する計画だ。HBMは積層数を増やすことで容量を拡大できる一方、熱の管理や製造工程の難易度も高まる。Samsungも、積層数の増加に伴う熱対策や製造上の課題を説明している。次世代品の量産には、より多くのダイを高精度に接続し、十分な良品率を確保できる製造技術が求められる。
そのため、HBM4Eなどの最大仕様を達成した製品を開発することと、それを安定して大量生産することは別の課題となる。温陽に計画されている40兆ウォンの設備投資は、製造装置を増やすだけでなく、こうした複雑な積層・接続工程の生産能力を拡大するためのものだ。次世代HBMの供給量は、設備の処理能力に加え、量産時の良品率によって大きく左右される。
稼働目標を2028年6月に前倒し、量産開始は2029年5月の見通し
Asia Business Dailyは、温陽の新工場が2028年6月に稼働を開始し、HBMの量産は2029年5月に始まる予定だと報じている。ChosunBizが当初計画から約1年前倒しされたと伝えているのは、新工場の稼働開始時期だ。したがって、2028年6月にHBMの本格的な量産が始まると解釈するのは適切ではない。また、この稼働目標は温陽の46兆ウォンに上る投資計画全体の完了や、5ラインすべての同時稼働を意味するものでもない。
Samsungが増設を急ぐ背景には、AI向けメモリー需要の拡大と、既存の生産能力の制約がある。同社は10月29日に発表した2026年第3四半期決算で、生産能力が限られる中、AI向け製品を優先する製品構成への転換を進め、HBM4の販売を大幅に拡大したと説明している。既存設備ではAI向け製品への生産配分を増やしながら、温陽では次世代HBMの供給能力を拡張する方針だ。
同社は2027年についても、AIインフラへの設備投資が過去最高水準に達し、AI関連の需要が業界の供給能力を大幅に上回ると予測している。また、複数年契約を通じて安定した販売基盤を構築する方針も示した。こうした需要見通しを踏まえると、新工場の稼働前倒しは、将来のHBM需要に対応するため、生産能力の整備を急ぐ取り組みと位置付けられる。
ただし、工場の面積が拡大した割合を、そのままHBMの増産率とみなすことはできない。温陽事業所の延べ床面積は約1.6倍に広がる計画だが、実際の生産能力は導入する製造装置の台数や性能、積層・接続工程の処理量、完成品の良品率などによって変わる。特にHBM4Eのような積層数の多い製品では、製造工程の複雑化に対応しながら安定した歩留まりを確保することが重要になる。
今後の焦点は、2028年6月の稼働開始目標に向けた設備導入の進捗と、2029年5月と報じられている量産開始までの生産体制の整備だ。稼働後の月間生産量や良品率が明らかになれば、46兆ウォンの投資が実際にどれほどの供給能力につながるかを評価しやすくなる。前工程から必要なDRAMダイを安定して調達し、積層・接続工程で十分な処理能力と良品率を確保できるかが、温陽の増設を次世代HBMの本格的な供給拡大につなげる鍵となる。
