
磁力がないのに情報が読める? 東大らが予測した「反強磁性メモリ」の常識を覆すメカニズム
東京大学の共同研究チームは、非共線型反強磁性体Mn3Snと酸化マグネシウムを積層した磁気トンネル接合において、運動量空間に生じる「幻の磁極」を利用することで、最大1000%の巨大なトンネル磁気抵抗効果を理論的に証明した。これは、外部に磁場を漏らさない反強磁性体から磁気情報を読み出すという長年の課題を解決し、超高速かつ不揮発性の次世代メモリ実現への道を開く画期的な成果である。

東京大学の共同研究チームは、非共線型反強磁性体Mn3Snと酸化マグネシウムを積層した磁気トンネル接合において、運動量空間に生じる「幻の磁極」を利用することで、最大1000%の巨大なトンネル磁気抵抗効果を理論的に証明した。これは、外部に磁場を漏らさない反強磁性体から磁気情報を読み出すという長年の課題を解決し、超高速かつ不揮発性の次世代メモリ実現への道を開く画期的な成果である。
中国YMTCは、既存工場に加え新たに3工場を建設し、合計で月産30万枚の生産能力増強を計画している。これは2026年に価格高騰が続くメモリ市場に対し、具体的な供給能力の上積みを意味するが、実際の市場への影響は工場の稼働時期と製品の配分先によって左右されるだろう。

AIブームによる半導体需要の急増で、PCゲーマーはRAM容量を妥協しつつ、1TB以上のSSDを死守する傾向にある。これは、RAMが後から増設可能な一方で、現代のゲームが大容量を要求し、ストレージ換装が困難なためである。また、PCIe 5.0 SSDは高価で敬遠され、コストパフォーマンスに優れたPCIe 3.0や4.0が選ばれている。

スマートフォン向けDRAM市場に、静かな地殻変動が起きている。AI向けHBM(高帯域幅メモリ)の需要が爆発した2026年、Samsung・SK hynix・Micronの大手3社はこぞって製造能力をHBMへシフトした。そ […]

2026年第1四半期、Samsung Electronicsが叩き出した営業利益は57.2兆ウォン(約6兆1,000億円)。前年同期の6.69兆ウォン(7,100億円)から755%増という数字は、半導体業界の歴史に刻まれ […]

2026年3月下旬、韓国の金融監督院(FSS)に提出された有価証券報告書から、世界のメモリ半導体市場を牽引する二社の動向が鮮明になった。Samsung Electronics は2025年に中国・西安のNANDフラッシュ […]

2026年3月末、DDR5メモリの価格がついに下方向に動いた。数週間前まではいくら引き金を引いても下がる気配がなかった価格が、Corsair製の32GB(2×16GB)構成キットで最大110ドル近くの値引きを記録している […]

AI(人工知能)インフラ投資の急拡大を背景に、DRAM(動的ランダムアクセスメモリ)市場は空前の好況を迎えている。Samsung Electronicsは2026年1月に時価総額1兆ドルを突破。SK hynixは2023 […]

世界の半導体メモリ市場において、従来の商慣習を根底から覆す異常な価格決定メカニズムが常態化しつつある。人工知能(AI)インフラに対する爆発的な投資がデータセンター向けの高性能メモリ需要を牽引する中、汎用DRAMおよびNA […]

生成AI(人工知能)の急速な台頭と、それに伴うデータセンターインフラの急拡大は、目に見えないデジタルネットワークの地下空間において、ある熾烈な攻防戦の引き金となっている。サイバーセキュリティ企業DataDomeの脅威調査 […]

PCやスマートフォン市場に少しでも関心を向ければ、現在進行形で起きている異常事態に気付くはずだ。コンピュータの短期記憶を司り、あらゆるデバイスの動作の根幹をなすRAM(ランダムアクセスメモリ)とNANDフラッシュストレー […]

2026年に入って以来、DDR5メモリの価格高騰は世界中のPC自作市場を直撃してきた。32GBキット(16GB×2枚組)が米国で400ドルを超え、欧州でも一時400ユーロ台後半に達するという、2025年秋には想像もできな […]