テクノロジー
韓国半導体輸出、重量減でも輸出額急増 DRAMは5月に370%増
韓国の半導体輸出は、AI向け高帯域幅メモリ等の高付加価値製品へのシフトにより、出荷重量が減少する一方で輸出額が過去最高圏に達する逆転現象が起きている。限られた生産能力を高単価品へ優先配分する構造が、韓国の貿易収支を強力に押し上げている。
Company
SK hynix
1983年設立、韓国の大手メモリ半導体メーカー。DRAM、NAND型フラッシュメモリ、HBM（高帯域幅メモリ）を主力製品とし、世界メモリ市場で上位シェアを持つ。
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テクノロジーIntelファウンドリ事業に転機、Googleが300万個超のTPUを発注しNVIDIAも先端プロセスを検証へ
生成AI需要の急増に伴うTSMCの供給不足を背景に、IntelがGoogleから大規模なTPU製造を受注した。NVIDIAなども次世代プロセスの検証を開始しており、独自のパッケージング技術を強みに同社がファウンドリ市場で再起する兆しを見せている。
テクノロジーメモリ電力30W未満で1.2TB/s：SK hynix が Vera Rubin の供給主導権を握った理由
NVIDIAのVera CPUはメモリ電力30W未満で1.2TB/sを出す。鍵を握るSK hynixは外付け部品の供給元からCPUの設計パートナーへと立ち位置を変え、HBM4でも最大供給元として先行する。
テクノロジーレーザーアニール技術の需要拡大：SiCから400層NAND、HBM実装までを支える次世代熱処理プロセス
半導体製造の微細化や構造の複雑化に伴い、熱ダメージを抑えつつ局所的な熱処理が可能なレーザーアニール技術の重要性が高まっている。次世代SiCパワー半導体の大口径化や積層NAND、HBMの製造における歩留まり向上を実現する鍵として期待されている。
テクノロジーHBFはメモリ規格から装置商戦へ、韓国勢がTCボンダーで先行争い
次世代メモリである高帯域幅フラッシュの商用化に向け、装置メーカーが製造に不可欠なTCボンダーの開発を加速させている。既存のHBM向け技術を転用しつつ、NAND特有の物性に対応した精密制御を実現できるかが、市場の主導権を握る鍵となる。
テクノロジーDDR4プラットフォームが再び増産へ、AIメモリ不足でPC自作の前提が変わり始めた
AI需要によるメモリ価格高騰を受け、自作PC市場では安価な旧規格DDR4の増産や対応製品の再投入が進んでいる。これは最新規格DDR5のコスト負担を避けたい層に向けた戦略であり、主要メーカーも旧世代プラットフォームの維持で需要を補う方針だ。
テクノロジーAnthropic、Mythosの防御利用を約200組織へ拡大：脆弱性発見より「修正能力」が焦点に
Anthropicは、高度な脆弱性発見能力を持つAIモデルへのアクセスを重要インフラ関連の約200組織へ拡大した。AIが大量の欠陥を特定できる現状において、焦点はモデルの性能から、発見された脆弱性を社会が迅速に修正・管理できる体制の構築へと移っている。
テクノロジーAIサーバーを増やすほどPC・スマホのメモリが高くなる理由：HBM需要が生んだ逆説的な供給構造
AIサーバー向けHBM増産が進むほど、PC・スマホ向け汎用DRAMの供給が細るという逆説的な構造を、TrendForceが2027年グローバルメモリ市場1.28兆ドル予測の根拠として提示。エージェント型AIのKVキャッシュ需要急増と製造ラインの奪い合いが生む二重の価格高止まり圧力を解説。
テクノロジーSamsung、HBM4Eサンプルを「世界初」出荷 48GB・最大3.6TB/sでAIメモリ競争を前倒し
Samsungが、次世代AI向けメモリ「HBM4E」（12層/48GB）のサンプル出荷を予定より前倒しして開始。帯域幅最大3.6TB/sの性能向上に加え、4nmロジックダイを活用した電力効率や熱特性の改善が鍵となる。AIメモリの競争軸が「単体スペック」から「製造統合力と安定供給」へと移るなか、業界初となるサンプル出荷の意義と、量産に向けた今後のハードルを読み解く。
テクノロジーAnthropic、650億ドル調達で評価額9,650億ドルに Claude需要は「資金調達」から「計算資源の争奪」へ
Anthropicが650億ドルを調達し、評価額は9,650億ドルに達した。Claude需要の急拡大を背景に、競争の焦点はモデル性能だけでなく計算資源の確保へ移っている。
テクノロジーもはや上から冷やすのは時代遅れ？SK hynix、HBMの中に冷却機構を直接埋め込む新技術「iHBM」を発表
AIデータセンターのGPUやAIアクセラレータは、高密度な電力消費による「熱」がボトルネックとなり性能が制限されている。これに対しSK hynixは、HBMパッケージ内部に直接冷却要素を埋め込む「iHBM」を発表し、熱源から直接冷却することで熱抵抗を30%削減、高負荷時でも安定した性能維持を可能にした。この技術は、次世代AIハードウェアの設計を根本から変える画期的なブレイクスルーである。
テクノロジー米国制裁がもたらした皮肉な結果：Huawei独自の「Die-on-Board」技術がストレージを変える
Huaweiは米国の技術規制下で、100層以上の3D NANDを利用できない制約を克服するため、YMTC製NANDダイを直接基板に実装する独自のDie-on-Board技術を開発した。これにより、ストレージ容量密度を33%向上させ、122TBの大容量エンタープライズSSDを実現している。また、SSD内にAIアクセラレータを統合することで、データ転送の消費電力を80%削減し、中国国内のAIインフラ需要に独自技術で対応している。