
HBMで3番手のSamsungが、NVIDIAとAppleを超える最高益を記録した理由
Samsung電子が2026年Q2に89.4兆ウォン(584億ドル)の記録的営業利益を発表し、NVIDIAとAppleの過去最高益を上回った一方、成長分野のHBMではSK hynixとMicronに次ぐシェア17%の3番手である実態を、価格主導の増益構造から読み解く。
Term
HBMとは、複数のDRAMダイを縦方向に積み重ねてシリコン貫通電極(TSV)で接続することで、従来のDRAMと比べて大幅に高いメモリ帯域幅を実現する広帯域メモリ規格だ。AIアクセラレータやGPUなどの演算チップに近接配置して使用され、AI推論・学習処理の高速化に不可欠な技術として位置づけられている。
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Samsung電子が2026年Q2に89.4兆ウォン(584億ドル)の記録的営業利益を発表し、NVIDIAとAppleの過去最高益を上回った一方、成長分野のHBMではSK hynixとMicronに次ぐシェア17%の3番手である実態を、価格主導の増益構造から読み解く。

SamsungとSK hynixによるHBMへのハイブリッドボンディング採用は、規格緩和や既存技術の改良により2026年以降へ遅れる見通しだ。第7世代の16段HBM4Eが最短の候補だが、量産安定性を優先しTCボンディングの活用を継続する判断が強まっている。

Samsungの2026年通期営業利益が300兆ウォンに達するとの予測が浮上している。AIインフラ向けメモリの需要爆発が主因であり、1社でNVIDIAに匹敵する利益を稼ぎ出す可能性が出てきた。この空前の利益水準はメモリ業界全体の再評価を促している。

Micronは広島工場で新クリーンルームに着工し、2028年後半の装置搬入を目指す。最大1.5兆円規模の投資を通じて1γ DRAMなどの次世代AI向けメモリの量産能力を確保し、長期的な需要拡大に対応する開発・生産拠点としての役割を強化する。

SK hynixは、AI需要の拡大を見据え韓国の清州に総額100兆ウォンを投じる。2029年稼働予定のNAND新工場や先端パッケージング拠点を新設し、HBMに加えデータ保存を担うストレージ供給を強化することで、AIメモリ市場での主導権確保を狙う。

SamsungはHBMの最上部に配置するダミーダイの形状を改良し、接合強度と放熱効率を高める特許を出願した。側面を三段の曲面構造にして上面を広げることで、モールド層の体積を減らしつつ機械的信頼性を向上させ、高積層化に伴う熱問題を解消する狙いだ。

NVIDIAの次世代AIアクセラレーター「Rubin Ultra」において、製造上の懸念から4チップレット構成を断念し、2チップレットへ変更する計画が報じられた。同社は単体性能の追求よりも量産性を重視し、ラック単位での最適化へ舵を切った。

中国のDRAMメーカーCXMTがTencentと結んだ大型の長期供給契約は、同社の供給能力が中国国内の旺盛なAIやクラウド需要に優先的に割かれる可能性を示唆している。米政府の承認や技術要件に加え、この国内需要がAppleの調達戦略に影響を与える。

Samsung・SK hynixが韓国南西部に計900兆ウォン(約5,800億〜6,500億ドル相当)を投じる「第二の半導体ベルト」構想を発表した。HBMの世界供給の約8割を握りながら中国CXMTの台頭とAI需要急増に迫られる韓国の、国家的賭けの内実を解剖する。

Samsung・SK hynix・Micronの3社は世界DRAMシェアの約90%を握り、今回で3回目となる連邦集団訴訟の被告に立たされた。過去の刑事有罪前歴とAppleの同日値上げが示す市場支配力が、原告側の中心的な武器となる。

AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。

AI向けHBMの記録的収益を背景に、SK hynixが設計エンジニア数百人規模の採用と学歴要件廃止を同時実施した。ボーナス格差が拡大する中でSamsungからの人材流出が指摘され、韓国ファブレス中小企業の人材確保にも深刻な影響が及びつつある。韓国半導体エコシステムの重力構造が塗り替わりつつある。