
キオクシアに2億2900万ドル評決、SamsungのHBMは第2の米ITC調査へ
米国のメモリ特許を巡り、キオクシアがViasatの特許侵害で巨額の賠償を命じられたほか、Samsung等がNetlistから輸入差し止めを申し立てられた。メモリセルそのものではなく、誤り訂正や積層制御といった周辺技術が製品流通に大きな影響を及ぼしている。
Term
HBMとは、複数のDRAMダイを縦方向に積み重ねてシリコン貫通電極(TSV)で接続することで、従来のDRAMと比べて大幅に高いメモリ帯域幅を実現する広帯域メモリ規格だ。AIアクセラレータやGPUなどの演算チップに近接配置して使用され、AI推論・学習処理の高速化に不可欠な技術として位置づけられている。
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米国のメモリ特許を巡り、キオクシアがViasatの特許侵害で巨額の賠償を命じられたほか、Samsung等がNetlistから輸入差し止めを申し立てられた。メモリセルそのものではなく、誤り訂正や積層制御といった周辺技術が製品流通に大きな影響を及ぼしている。

中国のSwaySureが運営するメモリ工場の稼働が行政資料から確認されたが、以前から報じられている月産能力等の数値は最新情報ではない。米国が同社を輸出制限対象に加えるなどHuaweiとの密接な関係が示唆される一方、HBM量産には依然として高い技術的障壁がある。

CXMTの2026年末DRAMウェハー投入能力はMicronの9割超に迫る見通しだ。だがビット出荷量、製造コスト、HBM量産力ではなお差が残り、同じ月産枚数でも供給価値は異なる。

AI需要に伴うメモリ等の供給逼迫と値上がりを懸念した顧客が、投資先をサーバーやストレージへ優先的に振り向けたことで、IBMのメインフレーム関連成約が遅延した。この影響で売上高が市場予想を下回り、同社の株価は過去最悪の下げ幅を記録した。

SamsungはHBMの設計からパッケージ、顧客認証までを横断する経験者採用を開始した。HBM4の増産や次世代品の開発を見据え、工程間の連携を強めることで開発期間の短縮と量産歩留まりの改善を図り、AIメモリ市場での競争力を高める狙いだ。

SK hynix CEOは2027年に史上最悪のメモリ供給不足を予測した。AI需要がDRAMとNANDへ広がる一方、龍仁と清州の増産設備は2027年から2029年に段階的に立ち上がる。

南亜科技は2027年に2,000億台湾ドル超を投じる予備計画を示した。価格急騰で得た現金を新工場へ回し、2028年までに月産3万枚の能力を立ち上げる。

POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。

SK hynixが2026年7月10日にNASDAQ上場し265億ドルを調達、外国企業史上最大のIPOとなった。だが予想PERは業界中央値を大きく下回ったままで、Korea discount解消の実証にはなお課題が残る。

SK hynixが中国の大連第2工場への設備投資を再開する。2027年上期までの稼働を目指しており、韓国の新工場完成に先んじてNANDの供給能力を増強する狙いだ。ただし、計画の完遂には米国の輸出規制に伴う装置搬入の許可継続が不可欠である。

DRAM市場では供給能力の偏りから旧世代品が小幅続伸する一方、NAND市場では高値による買い控えで価格が下落しており、強気なAI需要の裏で二極化が進んでいる。この対照的な動きは供給制約と買い手の限界を露呈しており、今後の相場は取引量の推移が鍵となる。

SambaNovaはGeneral Atlantic主導のシリーズFで評価額110億ドルに到達したと発表した。2025年12月の16億ドル買収破談から7カ月弱での回復であり、旧世代のNVIDIA H200と自社RDUを組み合わせた推論構成が評価を支えている背景を解説する。