
厚さ14μmのチップ10層超積層に成功、HBM4量産の目安30μmとの距離
POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。
Term
HBMとは、複数のDRAMダイを縦方向に積み重ねてシリコン貫通電極(TSV)で接続することで、従来のDRAMと比べて大幅に高いメモリ帯域幅を実現する広帯域メモリ規格だ。AIアクセラレータやGPUなどの演算チップに近接配置して使用され、AI推論・学習処理の高速化に不可欠な技術として位置づけられている。
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POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。

SK hynixが中国の大連第2工場への設備投資を再開する。2027年上期までの稼働を目指しており、韓国の新工場完成に先んじてNANDの供給能力を増強する狙いだ。ただし、計画の完遂には米国の輸出規制に伴う装置搬入の許可継続が不可欠である。

DRAM市場では供給能力の偏りから旧世代品が小幅続伸する一方、NAND市場では高値による買い控えで価格が下落しており、強気なAI需要の裏で二極化が進んでいる。この対照的な動きは供給制約と買い手の限界を露呈しており、今後の相場は取引量の推移が鍵となる。

SambaNovaはGeneral Atlantic主導のシリーズFで評価額110億ドルに到達したと発表した。2025年12月の16億ドル買収破談から7カ月弱での回復であり、旧世代のNVIDIA H200と自社RDUを組み合わせた推論構成が評価を支えている背景を解説する。

Samsung電子が2026年Q2に89.4兆ウォン(584億ドル)の記録的営業利益を発表し、NVIDIAとAppleの過去最高益を上回った一方、成長分野のHBMではSK hynixとMicronに次ぐシェア17%の3番手である実態を、価格主導の増益構造から読み解く。

Samsungの2026年通期営業利益が300兆ウォンに達するとの予測が浮上している。AIインフラ向けメモリの需要爆発が主因であり、1社でNVIDIAに匹敵する利益を稼ぎ出す可能性が出てきた。この空前の利益水準はメモリ業界全体の再評価を促している。

Micronは広島工場で新クリーンルームに着工し、2028年後半の装置搬入を目指す。最大1.5兆円規模の投資を通じて1γ DRAMなどの次世代AI向けメモリの量産能力を確保し、長期的な需要拡大に対応する開発・生産拠点としての役割を強化する。

SK hynixは、AI需要の拡大を見据え韓国の清州に総額100兆ウォンを投じる。2029年稼働予定のNAND新工場や先端パッケージング拠点を新設し、HBMに加えデータ保存を担うストレージ供給を強化することで、AIメモリ市場での主導権確保を狙う。

中国のDRAMメーカーCXMTがTencentと結んだ大型の長期供給契約は、同社の供給能力が中国国内の旺盛なAIやクラウド需要に優先的に割かれる可能性を示唆している。米政府の承認や技術要件に加え、この国内需要がAppleの調達戦略に影響を与える。
Samsung・SK hynixが韓国南西部に計900兆ウォン(約5,800億〜6,500億ドル相当)を投じる「第二の半導体ベルト」構想を発表した。HBMの世界供給の約8割を握りながら中国CXMTの台頭とAI需要急増に迫られる韓国の、国家的賭けの内実を解剖する。

Samsung・SK hynix・Micronの3社は世界DRAMシェアの約90%を握り、今回で3回目となる連邦集団訴訟の被告に立たされた。過去の刑事有罪前歴とAppleの同日値上げが示す市場支配力が、原告側の中心的な武器となる。

AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。