テクノロジー
AIサーバーの部品費は75％超がメモリ、Googleが示すコストを抑える2つの対策
GoogleはTPUの設計とKVキャッシュ圧縮で、AIサーバーのメモリ制約に対応する。6分の1という圧縮率が総メモリ使用量や費用に直結しない理由を、仕様と計算から確かめる。
Term
HBM
HBMとは、複数のDRAMダイを縦方向に積み重ねてシリコン貫通電極（TSV）で接続することで、従来のDRAMと比べて大幅に高いメモリ帯域幅を実現する広帯域メモリ規格だ。AIアクセラレータやGPUなどの演算チップに近接配置して使用され、AI推論・学習処理の高速化に不可欠な技術として位置づけられている。
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テクノロジーMicronがGPU近傍NANDを検討、HBF競争で残る仕様と実装の空白
Micronが検討するGPU近傍NANDを、同社のHBM4やPCIe 6.0 SSD、OCP HBFと比較し、製品化に必要な性能と実装条件を検証する。
テクノロジーSamsung、HBM5を性能2倍へ zHBM「8倍」の比較基準が割れた
SamsungはHBM5で性能2倍と熱抵抗20%低減を狙う。一方、zHBMの「8倍」は比較対象がHBM4EとHBM5に割れており、絶対帯域や測定条件の開示が評価の分かれ目となる。
テクノロジーHBM3E、スポット価格は長期契約の4〜5倍に開いた理由。Samsungが2031年まで固めた70%
36GB HBM3Eのスポット価格が1個約2100ドルに達し、長期契約価格の4〜5倍になったと報じられた。Samsungはメモリ生産能力の60〜70%を2031年までの長期契約へ割り当てる計画で、契約に入れるかどうかがAI用メモリの調達条件を左右し始めている。
テクノロジーMediaTekが先端パッケージ人材を増強、AI ASICを設計から量産まで握る狙い
MediaTekが先端パッケージ人材の採用を広げている。公式求人と技術資料から、AI ASICを設計、量産、調達まで一体運用する狙いを読み解く。
テクノロジーCXMTのHBM3E少量生産報道、中国AI半導体は採用試験の入口へ
中国DRAM大手CXMTがHBM3Eを少量生産し、T-HeadとCambriconが採用試験中と報じられた。2027年搭載には顧客認定、歩留まり、供給量の確認が残る。
テクノロジーDEEPAI半導体の詰まりは「後工程」で起きている：CoWoS容量が9倍でも足りない理由
TSMCの先端パッケージング技術CoWoSは3年で月産能力が約9倍に拡大したが、需給ギャップはなお約10%残る。歩留まりの物理的な壁と、NVIDIAが容量の過半を確保する商流構造という二つの制約を、一次資料と複数の推計から読み解く。
テクノロジー韓国DRAM輸出単価401%上昇、金2.4倍を上回る12.5倍を生んだ生産配分の転換
韓国のDRAM輸出単価が2026年8月に1kg9万2183ドル、前年同期比401%増となり金620g相当に達した。SamsungとSK hynixのHBM優先という生産配分の転換が汎用DRAMを枯らし、NVIDIAのAIサーバーからVAIOのPCまで値上げが連鎖している。
テクノロジーSK hynixが米国初のHBM後工程拠点を着工、量産は2029年後半へ
SK hynixはIndiana州でHBM先端パッケージ工場を着工した。韓国製ウェハーを現地で積層・検査し、米国顧客向けに2029年後半の量産を目指す。
テクノロジーMicron、HBM3Eは同一ノードDDR5の3倍のウェハーを消費、次世代でその差は更に広がると警告
MicronはHBM3Eが同一ノードのDDR5より約3倍のウェハを使い、この投入比は次世代でさらに上がると説明した。帯域拡大がDRAM供給と熱設計に与える制約を追う。
テクノロジーNVIDIA、制御回路をメモリ側へ移す「NVHBM」発表：帯域最大30%増を掲げるカスタムHBM
NVIDIAはHBM制御回路をベースダイへ移すNVHBMを発表した。帯域と電力、計算面積の改善を掲げるが、絶対仕様や量産時期、採用製品は未公表である。
テクノロジーHBM4の次に残る壁、SK hynixが示した積層・2.5D・3Dの接続
SK hynixはHBM内部の接合、2.5D実装、将来の3D統合を一体設計する方向を示した。EMIBは採用決定ではなく、量産化には給電・冷却・歩留まりの検証が残る。
