
MicronがAppleの中国製メモリ調達案に反対、価格と米国増産を巡り攻防
Appleの中国製メモリ調達案にMicronが反対した。足元の価格抑制と2028年以降の供給改善には時間差があり、米政権の追加規制が採用条件を左右する。
Term
HBMとは、複数のDRAMダイを縦方向に積み重ねてシリコン貫通電極(TSV)で接続することで、従来のDRAMと比べて大幅に高いメモリ帯域幅を実現する広帯域メモリ規格だ。AIアクセラレータやGPUなどの演算チップに近接配置して使用され、AI推論・学習処理の高速化に不可欠な技術として位置づけられている。
全 231 件 / 20 ページ

Appleの中国製メモリ調達案にMicronが反対した。足元の価格抑制と2028年以降の供給改善には時間差があり、米政権の追加規制が採用条件を左右する。

中国DRAM大手CXMTがSamsungの64GB DDR5サーバーメモリ価格を上回る水準を設定し、Huaweiの値下げ要求も拒否した。AI向けHBM生産シフトで汎用DRAMが逼迫する中、価格決定権を握る側への転換を示す動きだ。

EtchedはSK hynixも参加した3億ドル調達を発表し、低電圧演算と共有メモリを組み合わせた推論クラスタの初期製造を始めた。供給契約や比較可能な性能値は未公表である。

IntelとAMDが中国のサーバー顧客と、価格を固定せず数量だけを確約する長期契約への切り替えを進めているとReutersが報じた。中国の一部CPU価格は年初来40%超上昇し、AMDは2030年市場のTAM予測を600億ドルから1200億ドル超に引き上げた。

DRAM高騰がGMの複合コスト増とBYDの運転支援オプション価格に現れた。完成車メーカーと部品各社は長期供給契約を広げ、供給と価格の変動に備えている。

ADATA会長の「メモリ不足は今後10年」という予測を、MicronとSK hynixの一次資料から検証。HBMのウェハ消費と2033年まで続く増産計画が、供給回復を遅らせる構造を読み解く。

米国のメモリ特許を巡り、キオクシアがViasatの特許侵害で巨額の賠償を命じられたほか、Samsung等がNetlistから輸入差し止めを申し立てられた。メモリセルそのものではなく、誤り訂正や積層制御といった周辺技術が製品流通に大きな影響を及ぼしている。

中国のSwaySureが運営するメモリ工場の稼働が行政資料から確認されたが、以前から報じられている月産能力等の数値は最新情報ではない。米国が同社を輸出制限対象に加えるなどHuaweiとの密接な関係が示唆される一方、HBM量産には依然として高い技術的障壁がある。

CXMTの2026年末DRAMウェハー投入能力はMicronの9割超に迫る見通しだ。だがビット出荷量、製造コスト、HBM量産力ではなお差が残り、同じ月産枚数でも供給価値は異なる。

AI需要に伴うメモリ等の供給逼迫と値上がりを懸念した顧客が、投資先をサーバーやストレージへ優先的に振り向けたことで、IBMのメインフレーム関連成約が遅延した。この影響で売上高が市場予想を下回り、同社の株価は過去最悪の下げ幅を記録した。

SK hynix CEOは2027年に史上最悪のメモリ供給不足を予測した。AI需要がDRAMとNANDへ広がる一方、龍仁と清州の増産設備は2027年から2029年に段階的に立ち上がる。

南亜科技は2027年に2,000億台湾ドル超を投じる予備計画を示した。価格急騰で得た現金を新工場へ回し、2028年までに月産3万枚の能力を立ち上げる。