テクノロジー
HBM覇権を作った李錫熙氏がSK hynixから古巣Intelに戻り、先端パッケージングを率いる
HBM量産の壁をMR-MUF技術で突破しSK hynixをNVIDIA向け主要サプライヤーに育てたLee Seok-hee氏が、古巣IntelのAdvanced Packaging担当EVPに転じた。EMIB-TでTSMCのCoWoS独占市場に挑む戦略的人事の背景と勝算を読み解く。
Term
HBM
HBMとは、複数のDRAMダイを縦方向に積み重ねてシリコン貫通電極（TSV）で接続することで、従来のDRAMと比べて大幅に高いメモリ帯域幅を実現する広帯域メモリ規格だ。AIアクセラレータやGPUなどの演算チップに近接配置して使用され、AI推論・学習処理の高速化に不可欠な技術として位置づけられている。
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テクノロジーCoPoSはCoWoSをすぐ置き換えない、TSMCが急ぐ巨大AIパッケージの別ルート
TSMCはAI向け巨大パッケージの需要拡大を受け、従来の円形ウエハーに代わり角型パネルを用いる新技術CoPoSの開発を加速している。材料利用率を高めてコストを抑える狙いがあり、2028年頃の量産開始や将来的なガラス基板の採用が期待される。
テクノロジーApple、メモリ高騰で製品値上げへ：AI需要がiPhoneとMacの価格前提を押し上げる
AIインフラ投資に伴うメモリ等の部材コスト上昇を受け、アップルのクックCEOは製品値上げが避けられないとの認識を示した。データセンターとの部材争奪が激化しており、今後はiPhone等の標準容量や価格構成にAIブームの負担が波及する見通しだ。
テクノロジーAI需要で揺れるDRAM調達、中国製24GbチップがDDR5製品に入り始めた
中国のメモリメーカーが国産の24Gbチップを用いたDDR5モジュールを相次いで発表し、自給自足の段階を実用化へ進めている。大手メーカーがAI向け供給を優先し汎用品が不足する中、中国製DRAMは安定調達を支える現実的な選択肢として存在感を高めている。
テクノロジーCPUは第3四半期に改善もメモリとGPUの供給不足は2026年通して継続とMSI会長が警告
AIサーバー向けメモリ需要の爆発的増加により、PC用GPUやVRAMの供給が深刻に停滞し、製品価格の高騰と市場の縮小を招いている。一方でCPUの供給は正常化へ向かっており、ベンダーは利益率重視の戦略へ転換することで収益の維持を図っている。
テクノロジーCXMTのDDR5は安売りの救世主ではない？安さではなく供給余力が焦点に
中国のCXMTは、大手メーカーがAI向け供給を優先しDRAM不足が深刻化する中、貴重な第4の供給源として台頭している。同社製品は安価ではないが、逼迫する市場で在庫を確保したいメーカーに採用されており、一般向け市場の供給を支える存在だ。
テクノロジーレーザーアニール技術の需要拡大：SiCから400層NAND、HBM実装までを支える次世代熱処理プロセス
半導体製造の微細化や構造の複雑化に伴い、熱ダメージを抑えつつ局所的な熱処理が可能なレーザーアニール技術の重要性が高まっている。次世代SiCパワー半導体の大口径化や積層NAND、HBMの製造における歩留まり向上を実現する鍵として期待されている。
テクノロジーCoWoS高騰がガラス基板2027年商用化を後押し：AI半導体の次の量産焦点は2030年へ
AIチップの大型化に伴い、従来の有機基板に代わるガラス基板技術が注目されており、2027年頃の商用化が見込まれている。TSMCやインテル、韓国メーカー各社が開発を加速させており、コスト削減や熱対策、高密度接続を実現する次世代の量産基板として期待される。
テクノロジーDDR4プラットフォームが再び増産へ、AIメモリ不足でPC自作の前提が変わり始めた
AI需要によるメモリ価格高騰を受け、自作PC市場では安価な旧規格DDR4の増産や対応製品の再投入が進んでいる。これは最新規格DDR5のコスト負担を避けたい層に向けた戦略であり、主要メーカーも旧世代プラットフォームの維持で需要を補う方針だ。
テクノロジーNVIDIA CEOが"次の兆ドル"企業と呼んだMarvell：その技術的根拠とは何か
AIインフラのボトルネックが接続性に移行する中、マーベルはAI特化型スイッチシリコンを発表し、次世代の主役として期待されている。同社はシリコンフォトニクス技術に注力しており、銅配線の限界を超えたデータセンターの革新を狙う。
テクノロジーGoProを追い込んだのはカメラ不況だけではない、AIメモリ需要が粗利と資金繰りを削った
GoProはAI需要に伴うメモリ価格急騰と供給制限により、粗利率が激減し継続企業の前提に疑義が生じている。売上低迷と債務超過が重なる中、同社は事業売却や新市場参入を含む戦略的選択肢の検討を開始し、深刻な資金繰りの改善を急いでいる。
テクノロジーSamsung、HBM4Eサンプルを「世界初」出荷 48GB・最大3.6TB/sでAIメモリ競争を前倒し
Samsungが、次世代AI向けメモリ「HBM4E」（12層/48GB）のサンプル出荷を予定より前倒しして開始。帯域幅最大3.6TB/sの性能向上に加え、4nmロジックダイを活用した電力効率や熱特性の改善が鍵となる。AIメモリの競争軸が「単体スペック」から「製造統合力と安定供給」へと移るなか、業界初となるサンプル出荷の意義と、量産に向けた今後のハードルを読み解く。