テクノロジー
HBM8で64TB/sへ、次世代HBMロードマップの全貌とAI半導体の未来像：単なるメモリから「計算する頭脳」への進化
AIの進化が指数関数的な成長を遂げる今、その性能を支える半導体の世界で、静かな、しかし決定的な主役交代劇が始まっている。これまで脚光を浴びてきたCPUやGPUに加え、今や「HBM（高帯域幅メモリ）」こそがAIコンピューテ […]
テクノロジーMicron、HBM4サンプル出荷開始：帯域2TB/s・容量36GBで次世代AIの性能限界を突破へ
2025年6月10日（米国時間）、半導体大手のMicron Technologyは、次世代広帯域幅メモリ（HBM）である「HBM4」のサンプル出荷を複数の主要顧客に向けて開始したと発表した。1スタックあたり2.0TB/s […]
テクノロジーSamsung、HBM4に革新技術「ハイブリッドボンディング」採用か？ 発熱抑制と帯域幅の限界突破に期待
AI（人工知能）やHPC（高性能コンピューティング）の進化が加速する中、その性能を左右するメモリ技術への要求は高まる一方だ。Samsung Electronicsが、次世代広帯域メモリ「HBM4」において、発熱問題の抜本 […]
テクノロジーiPhone 20周年記念モデルは驚愕の機能の数々を搭載？完全ベゼルレス、次世代バッテリー、HBM搭載でAI性能も劇的進化との噂
2027年、初代iPhoneの登場から20年という大きな節目を迎える。この記念すべき年に、Appleが再び世界を驚かせるような革新的なiPhoneを準備しているとの情報が、海外メディアやサプライチェーン情報筋からもたらさ […]
テクノロジーSK hynix、驚異の2TB/秒処理能力を持つ次世代メモリHBM4を世界初公開
SK hynixは、2024年4月23日に米国カリフォルニア州サンタクララで開催されたTSMC North America Technology Symposium 2025において、次世代の高帯域幅メモリであるHBM4 […]
テクノロジーGoogle、SamsungのHBM3E採用を中止 – NVIDIAの認証テスト不合格で危機深まるSamsungの半導体事業
Googleが自社開発のAIチップに搭載するHBM3E（High Bandwidth Memory 3E）メモリについて、これまで採用を検討していたとされるSamsung Electronics（以下、Samsung）を […]
テクノロジーJEDEC、HBM4規格を正式発表：最大2TB/s帯域で次世代AI・HPCメモリの新時代へ
半導体メモリの標準化をリードするJEDEC Solid State Technology Associationは、待望の広帯域メモリ（HBM）の新規格「HBM4」を定めた「JESD270-4」を正式に発表した。この新規 […]
テクノロジー2025年第2四半期のDRAM価格動向：下落緩和とHBM上昇へ
市場調査会社TrendForceの最新の分析によると、2025年第2四半期の従来型DRAM価格は0〜5%の小幅下落にとどまる一方、HBM（高帯域幅メモリ）を含めた平均価格は3〜8%上昇する見通しだ。 DRAM市場全体の価 […]
テクノロジーSK hynix、世界初の12層HBM4メモリを出荷 – 36GB容量・2TB/秒を実現
SK hynixが世界に先駆けて12層HBM4メモリのサンプルを主要顧客に向けて出荷した。現在サンノゼで開催中のGTC 2025でも開発モデルを展示中だ。この次世代AI向け超高性能DRAMは最大36GB容量と2TB/秒超 […]
テクノロジー中国企業が国産HBM2の試験生産を開始、中国産AIの技術的独立が更に進む可能性
中国の半導体メーカーTongfu Microelectronicsが、高帯域幅メモリ（HBM）の第2世代となるHBM2の試験生産を開始したことが明らかになった。同社の参入は、中国半導体産業の技術的自立に向けた重要な一歩と […]
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SK hynix、最先端3nmプロセスでHBM4を2025年後半から量産へ – NVIDIAとの協業を強化
SK hynixが第6世代高帯域幅メモリ(HBM4)の製造プロセスを、当初計画していた5nmから最先端の3nmへと変更することを決定した。2025年後半からNVIDIAへの供給を開始する計画で、半導体業界における技術革新 […]
テクノロジー米バイデン政権、中国半導体産業に対する包括的な輸出規制を発表 – 140社以上が対象に
米Biden（バイデン）政権は12月2日、中国の半導体産業に対する新たな輸出規制を発表した。この措置により、中国の140社以上が規制対象となり、人工知能（AI）開発に不可欠な高帯域メモリ（HBM）チップの輸出も制限される […]