テクノロジー
分解調査で暴かれた真実：Huawei最新AIチップ「910C」の心臓部にTSMCとSamsungの影、米国の制裁網を掻い潜るサプライチェーンの深層
米国の厳格な輸出規制下にありながら、中国のテクノロジー大手Huaweiが開発を進める最先端AIチップ「Ascend 910C」。その内部構造が、半導体リバースエンジニアリングの権威であるTechInsights社の分解調 […]
Topic
メモリ・ストレージ
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テクノロジーAIが誘発する半導体地殻変動：SK hynix、DRAM生産能力倍増の巨大投資へ。NANDは戦略的縮小
生成AIの爆発的な進化が、世界の産業構造を根底から揺さぶっている。その中心で今、最も激しい需給の嵐にさらされているのが、AIの頭脳を支えるメモリ半導体だ。この未曾有の需要を捉えるべく、韓国の半導体大手SK hynixが社 […]
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テクノロジーAIブームの余波、Raspberry Piを直撃。メモリ高騰で一部製品が価格改定
AI技術の指数関数的な進化が、世界のテクノロジー産業の構造を大きく揺さぶっているが、その巨大な潮流の余波が、今、我々の身近なシングルボードコンピュータ（SBC）の代名詞であるRaspberry Piにまで及んでいる。Ra […]
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テクノロジーOpenAI、「Stargate」向けメモリ調達でSamsung・SK hynixと月産90万ウェハーの“異次元”供給契約を締結
人工知能（AI）開発の最前線を走るOpenAIは、5000億ドル規模とされるAIインフラプロジェクト「Stargate」の中核を担うメモリチップの供給元として、世界の半導体市場を牽引する韓国のSamsung Electr […]
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テクノロジーSSDは0.5ペタバイトに到達：Samsung、512TBのPCIe 6.0 SSDを2027年投入へ
中国・深センで開催された「Global Memory Innovation Forum 2025」にて、Samsung Electronicsはストレージ技術の着実な進歩を実現するロードマップを公開した。AIの進化がデー […]
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テクノロジー米制裁がYMTCの成長を直撃。NANDシェア下落に見る中国半導体「技術的孤立」の現実とeSSD市場の壁
かつてNANDフラッシュメモリ市場の秩序を揺るがす存在として、既存の巨大企業を脅かした中国のYMTC（長江メモリテクノロジー）。その破竹の勢いが、今、明らかに失速し始めている。2025年第2四半期、YMTCの市場シェアは […]
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サイエンスAIの電力飢餓を救うか？磁石の常識を覆す新素材、メモリ消費を1/10にする世紀の大発見
AIの進化が止まらない。私たちの生活を豊かにし、産業構造すら変えようとしているこの革命的な技術は、しかし、その裏で深刻な「飢え」に苦しんでいる。それは、尽きることのない「電力」への渇望だ。このままでは、数十年以内に世界の […]
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テクノロジーAMD、DDR5の帯域を倍増させる特許「HB-DIMM」を申請、APUやサーバーのボトルネックを解消か？
Advanced Micro Devices (AMD) が、メモリ帯域幅の限界を打破する可能性を秘めた新しいメモリアーキテクチャに関する特許を公開した。HB-DIMM（High-Bandwidth Dual Inlin […]
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テクノロジーMicron、次世代メモリHBM4で業界標準を40%凌駕するサンプル出荷開始：TSMCとのHBM4E開発協業も発表
AI（人工知能）の進化が世界のテクノロジー地図を塗り替える中、その心臓部である半導体の性能競争は新たな次元に突入している。この競争の鍵を握るのが、プロセッサにデータを供給する「メモリ」の存在だ。米半導体大手Micron […]
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テクノロジー中国Innosilicon、CUDA互換GPU「Fenghua No.3」を発表：RISC-V、AI向けに112GB以上のHBMメモリも搭載
中国の半導体設計企業Innosilicon Technology（芯動科技）が、最新GPU「Fenghua No.3（風華3号）」を発表した。本製品は、従来のIPコア依存から脱却し、オープンソースのRISC-Vアーキテク […]
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テクノロジーSamsung、1年半の苦闘の末NVIDIAの壁を突破か：HBM3E認定の裏にある「熱問題」と次世代HBM4での逆襲戦略
AI半導体市場の覇権をめぐる競争が新たな局面を迎えた。Samsung Electronicsが、1年半以上にも及ぶ技術的な停滞を乗り越え、同社の12層HBM3E（High-Bandwidth Memory 3E）メモリが […]
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テクノロジーSamsung、DRAM・NAND価格を最大30%引き上げか：AIブームが誘発するメモリ市場の大波乱
Samsung Electronicsが第4四半期（10-12月期）の契約価格として、DRAMの価格を最大30%、NANDフラッシュの価格を最大10%引き上げる方針を主要顧客に通知したと報じられた。これは季節的な価格変動 […]