テクノロジー
HBFはメモリ規格から装置商戦へ、韓国勢がTCボンダーで先行争い
次世代メモリである高帯域幅フラッシュの商用化に向け、装置メーカーが製造に不可欠なTCボンダーの開発を加速させている。既存のHBM向け技術を転用しつつ、NAND特有の物性に対応した精密制御を実現できるかが、市場の主導権を握る鍵となる。
Topic
メモリ・ストレージ
Memory & Storage
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テクノロジー2027年のNAND不足悪化で、SSD市場は「容量減」と「PCIe 5化」が同時に進む
AI需要によるNAND不足で消費者向けSSDの容量低下や価格上昇が懸念される一方、Silicon Motionは高性能製品への移行や車載・AIインフラ向けの拡大で増収を続けている。供給難が続く2027年に向けて、同社は高単価なコントローラで成長を維持する構えだ。
テクノロジーDDR4プラットフォームが再び増産へ、AIメモリ不足でPC自作の前提が変わり始めた
AI需要によるメモリ価格高騰を受け、自作PC市場では安価な旧規格DDR4の増産や対応製品の再投入が進んでいる。これは最新規格DDR5のコスト負担を避けたい層に向けた戦略であり、主要メーカーも旧世代プラットフォームの維持で需要を補う方針だ。
テクノロジーPC購入、2026年後半は安くならない：IDCが通年11.3%減・Q4は20%減と予測
IDCの予測によれば、部材不足やAI需要に伴うメモリ価格の高騰により、2026年のPC平均販売価格は17%上昇し出荷台数も大幅に減少する見通しだ。低価格モデルの投入も期待されるが、2027年末までは構成の妥協や実質的な値上がりが続く。
テクノロジーGoProを追い込んだのはカメラ不況だけではない、AIメモリ需要が粗利と資金繰りを削った
GoProはAI需要に伴うメモリ価格急騰と供給制限により、粗利率が激減し継続企業の前提に疑義が生じている。売上低迷と債務超過が重なる中、同社は事業売却や新市場参入を含む戦略的選択肢の検討を開始し、深刻な資金繰りの改善を急いでいる。
テクノロジーAMD、極低遅延メモリ規格「EXPO-ULL」を発表：DDR5のタイミング最適化でゲーミング性能を最大15%向上
AMDはDDR5メモリの新規格EXPO-ULLを発表し、厳格な低レイテンシ設定によりRyzen環境での描画安定性を向上させる。主要ベンダーが賛同するこの新基準は、実ゲームでのフレームレート底上げに加え、自作市場の製品選別にも大きな影響を与える。
テクノロジーSamsung、HBM4Eサンプルを「世界初」出荷 48GB・最大3.6TB/sでAIメモリ競争を前倒し
Samsungが、次世代AI向けメモリ「HBM4E」（12層/48GB）のサンプル出荷を予定より前倒しして開始。帯域幅最大3.6TB/sの性能向上に加え、4nmロジックダイを活用した電力効率や熱特性の改善が鍵となる。AIメモリの競争軸が「単体スペック」から「製造統合力と安定供給」へと移るなか、業界初となるサンプル出荷の意義と、量産に向けた今後のハードルを読み解く。
テクノロジーブラウザを開くだけでSSDから履歴が筒抜けに。新たな攻撃「FROST」の戦慄
ブラウザの標準API「OPFS」を悪用し、SSDの物理的な処理遅延からユーザーの行動履歴を丸裸にする新手法「FROST」の脅威に迫る。
テクノロジーDRAM消費を最大90%削減する設計：Metaが2年ぶりに公開したCacheLibの仕組み
DRAM価格の急騰を受け、Metaは2年間更新が途絶えていたオープンソースキャッシュエンジン「CacheLib」を再リリースした。高価なDRAMの使用を抑えつつキャッシュ性能を維持する「HybridCache」アーキテクチャは、DRAMとNVMを組み合わせることでコストを大幅に削減できるため、現在のメモリ市場において実用的な意味を持つ。
テクノロジーもはや上から冷やすのは時代遅れ？SK hynix、HBMの中に冷却機構を直接埋め込む新技術「iHBM」を発表
AIデータセンターのGPUやAIアクセラレータは、高密度な電力消費による「熱」がボトルネックとなり性能が制限されている。これに対しSK hynixは、HBMパッケージ内部に直接冷却要素を埋め込む「iHBM」を発表し、熱源から直接冷却することで熱抵抗を30%削減、高負荷時でも安定した性能維持を可能にした。この技術は、次世代AIハードウェアの設計を根本から変える画期的なブレイクスルーである。
テクノロジー米国制裁がもたらした皮肉な結果：Huawei独自の「Die-on-Board」技術がストレージを変える
Huaweiは米国の技術規制下で、100層以上の3D NANDを利用できない制約を克服するため、YMTC製NANDダイを直接基板に実装する独自のDie-on-Board技術を開発した。これにより、ストレージ容量密度を33%向上させ、122TBの大容量エンタープライズSSDを実現している。また、SSD内にAIアクセラレータを統合することで、データ転送の消費電力を80%削減し、中国国内のAIインフラ需要に独自技術で対応している。
テクノロジーMicron、米国製1α DRAMをバージニアで開始：DDR4供給を4倍にする狙い
Micron Technologyは米バージニア州マナサス工場で1α DRAMの製造を開始した。これは、最先端AIサーバー向けHBMやDDR5の競争ではなく、AI需要の裏側で不足感が高まる車載や産業機器向けDDR4/LP4の供給を米国内で増強する施策だ。同社は20億ドル超を投じ、長期供給が求められる成熟メモリの国内生産体制を強化し、サプライチェーン強靭化に貢献する。
