Intel 18A

18Aは、Intelが開発を進める最先端の半導体プロセスノードで、その名称は1.8nm相当の性能指標を示す。これはIntelのIDM 2.0戦略の中核であるIntel Foundry事業において、外部顧客向け受託製造の主要な技術基盤となる。このプロセスは、高性能コンピューティング（HPC）、AIアクセラレータ、モバイル、車載向けなど、高い処理能力と電力効率が求められる次世代アプリケーションの半導体製造に活用される。Intelは、この18Aプロセスを競合他社の最先端プロセスと差別化し、ファウンドリ市場での存在感を確立することを目指している。

18Aプロセスは、Intelが「Angstrom時代」と呼ぶ次世代半導体製造技術の集大成である。このノードでは、従来のFinFET構造に代わり、ゲートオールアラウンド（GAA）構造の一種である「RibbonFET」トランジスタ技術が導入される。RibbonFETは、ゲートがチャネルを四方から囲むことで、トランジスタの駆動電流を最大化し、リーク電流を抑制する効果を持つ。さらに、電力供給ネットワークをウェハの裏面に配置する「PowerVia」技術も採用される。PowerViaは、電源供給経路を信号経路から分離することで、電力供給効率を向上させ、信号の混雑を緩和し、チップ面積の最適化に貢献する。Intelは2024年後半に製造準備が整う予定で、Intel 20Aに続く技術として性能と電力効率の大幅な向上を実現する。

18Aは、TSMCやSamsungといった競合ファウンドリが開発する最先端プロセスノードと直接競合する。特に、GAA技術は各社が次世代プロセスで採用を進める共通の方向性であり、IntelのRibbonFETはその実現形態の一つである。Intelは、この18Aプロセスを早期に立ち上げ、外部顧客からの受注を拡大することで、遅れをとっていたプロセス技術のリーダーシップを再確立することを目指す。この技術の成功は、Intelのファウンドリ事業の成長だけでなく、半導体業界全体のサプライチェーン多様化にも寄与し、高性能半導体の安定供給に貢献する可能性を秘めている。