Term

RibbonFET

別名: Gate-All-Around, GAA, RibbonFET

Overview

RibbonFETは、従来のFinFETに代わる次世代のトランジスタ構造である。ナノシート状のチャネルをゲートが完全に取り囲むGAA(Gate-All-Around)構造を採用しており、微細化が進むプロセスノードにおいて優れた静電制御を可能にする。これにより、駆動電流の向上と消費電力の抑制を両立し、プロセッサのさらなる高性能化と省電力化に寄与する。

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