
中国、洋上風力駆動の「海中データセンター」を商用稼働:AI冷却の電力・淡水課題を解決
中国は上海沖で、海水を冷却に利用する世界初の大規模商用海中データセンターを稼働させた。洋上風力発電と直結し、淡水消費ゼロかつ高い電力効率を実現しており、AI普及に伴う膨大な電力消費と環境負荷を抑制する次世代インフラとして期待される。
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Data Centers
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中国は上海沖で、海水を冷却に利用する世界初の大規模商用海中データセンターを稼働させた。洋上風力発電と直結し、淡水消費ゼロかつ高い電力効率を実現しており、AI普及に伴う膨大な電力消費と環境負荷を抑制する次世代インフラとして期待される。

米商務省は、中国などの武器禁輸国に本社を置く法人が第三国で高度AIチップを調達する際、輸出ライセンスを義務付ける指針を明確化した。これは配送先ではなく親会社の所在地を重視することで、海外子会社やデータセンターを経由した規制逃れを防ぐ狙いがある。

Intelは18Aプロセスを採用した次世代CPU「Xeon 6+」を発表した。新構造のトランジスタや裏面電力供給技術、高度な積層パッケージングにより、最大288コアの圧倒的な密度と電力効率を実現し、自律型AI時代の並列処理需要に応える。

Samsungが、次世代AI向けメモリ「HBM4E」(12層/48GB)のサンプル出荷を予定より前倒しして開始。帯域幅最大3.6TB/sの性能向上に加え、4nmロジックダイを活用した電力効率や熱特性の改善が鍵となる。AIメモリの競争軸が「単体スペック」から「製造統合力と安定供給」へと移るなか、業界初となるサンプル出荷の意義と、量産に向けた今後のハードルを読み解く。

DRAM価格の急騰を受け、Metaは2年間更新が途絶えていたオープンソースキャッシュエンジン「CacheLib」を再リリースした。高価なDRAMの使用を抑えつつキャッシュ性能を維持する「HybridCache」アーキテクチャは、DRAMとNVMを組み合わせることでコストを大幅に削減できるため、現在のメモリ市場において実用的な意味を持つ。

AIデータセンターのGPUやAIアクセラレータは、高密度な電力消費による「熱」がボトルネックとなり性能が制限されている。これに対しSK hynixは、HBMパッケージ内部に直接冷却要素を埋め込む「iHBM」を発表し、熱源から直接冷却することで熱抵抗を30%削減、高負荷時でも安定した性能維持を可能にした。この技術は、次世代AIハードウェアの設計を根本から変える画期的なブレイクスルーである。

NVIDIAの次世代データセンター向けCPU「Vera」が、従来の「効率のArm、絶対性能のx86」というCPUアーキテクチャの棲み分けを覆し、x86のフラッグシップモデルを演算性能で凌駕した。Veraは、自社設計のカスタムコア「Olympus」とモノリシックダイ、そして超広帯域メモリ「LPDDR5X」を採用することで、エージェント型AIの処理に不可欠な強力で応答性の高いCPUを実現し、ベンチマークテストでx86プロセッサを大きく上回る性能を示した。

AI普及に伴う半導体チップの大型化で、既存の有機ABF基板の反り問題が深刻化しており、熱膨張係数がシリコンに近いガラス基板が次世代パッケージングの有力候補として浮上している。Intelはリオランチョ工場をガラス基板の世界初量産拠点として位置づけ、SKCも2026年末の商業量産を目指し、市場は2034年に42億ドル規模への急成長が予測されている。

中国Huaweiは、米国の制裁により最先端半導体製造装置へのアクセスを断たれた状況を打破するため、「Tau Scaling Law」と「LogicFolding」という革新的な設計パラダイムを発表した。これは、微細化の限界に直面する従来のムーアの法則に代わり、回路の信号伝播遅延を極限まで短縮し、論理回路を物理的に折り畳んで積層することで、性能向上と高密度化を実現するものである。

Huaweiは米国の技術規制下で、100層以上の3D NANDを利用できない制約を克服するため、YMTC製NANDダイを直接基板に実装する独自のDie-on-Board技術を開発した。これにより、ストレージ容量密度を33%向上させ、122TBの大容量エンタープライズSSDを実現している。また、SSD内にAIアクセラレータを統合することで、データ転送の消費電力を80%削減し、中国国内のAIインフラ需要に独自技術で対応している。

NVIDIAの次世代AIラック「VR200 NVL72」の製造原価は、メモリコストの435%上昇などにより約780万ドルに達すると推定されている。この高額なインフラ投資は、AI開発におけるハードルを高め、クラウド事業者のビジネスモデルやAIコンピューティングリソースの価格設定に大きな影響を与える見通しだ。

データセンターの電力密度が急増し、従来のシリコン半導体では対応しきれない課題に対し、オークリッジ国立研究所がロームのGaN半導体デバイスを用いた標準化モジュールを開発した。このモジュールは、GaNの高速スイッチング性能を阻害する寄生インダクタンスの問題を解決し、AIデータセンターやEVなど多様な用途で高効率・高電力密度を実現する共通解となる。