
XBMはHBM4キラーか、Intelが狙うオンパッケージメモリの再配線
Intelが構想する新メモリXBMは、HBM4の代替というより、UCIeを用いたオンパッケージメモリの接続最適化を目指すものである。高速なシリアルリンクの活用や配線層へのDRAM配置により、実装面積の削減や帯域密度の向上を図る狙いがある。
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1969年設立、韓国の多国籍エレクトロニクス企業。スマートフォン・テレビ・半導体・メモリなど幅広いエレクトロニクス製品を手がけ、DRAM・NANDフラッシュなどの半導体分野で世界トップクラスのシェアを持つ。
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Intelが構想する新メモリXBMは、HBM4の代替というより、UCIeを用いたオンパッケージメモリの接続最適化を目指すものである。高速なシリアルリンクの活用や配線層へのDRAM配置により、実装面積の削減や帯域密度の向上を図る狙いがある。

SamsungとSK hynixによるHBMへのハイブリッドボンディング採用は、規格緩和や既存技術の改良により2026年以降へ遅れる見通しだ。第7世代の16段HBM4Eが最短の候補だが、量産安定性を優先しTCボンディングの活用を継続する判断が強まっている。
AIデータセンターの急拡大に伴う高帯域幅メモリの需要増により、一般向けを含むメモリ市場全体で深刻な品薄と価格高騰が続いている。業界団体のSEMIは、政府の直接的な価格介入は市場を歪めるとして反対し、税制優遇などの財政支援を軸とした対策を提言した。

AI向けメモリ需要の急増により、メーカーがデータセンターへの供給を優先している。その影響でスマホ向け部材の価格上昇と供給制約が続いており、メモリの値下がりを前提としてきた低価格スマホは、2027年にかけて容量維持や安価な設計が困難になる。(119文字)

中国のDRAMメーカーCXMTがTencentと結んだ大型の長期供給契約は、同社の供給能力が中国国内の旺盛なAIやクラウド需要に優先的に割かれる可能性を示唆している。米政府の承認や技術要件に加え、この国内需要がAppleの調達戦略に影響を与える。

Samsung・SK hynix・Micronの3社は世界DRAMシェアの約90%を握り、今回で3回目となる連邦集団訴訟の被告に立たされた。過去の刑事有罪前歴とAppleの同日値上げが示す市場支配力が、原告側の中心的な武器となる。

AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。

米Micronは決算説明会で、中国のCXMTとYMTCが市場シェアを伸ばしている現状を認めた。中国勢は国内需要を吸収する供給源として存在感を増しており、AI需要による世界的なメモリ供給逼迫が続く中で、国際的な需給や価格形成に波及し始めている。

SK hynixは、収益性が逆転した汎用DRAMの供給不足に対応するため、次世代メモリHBM4の量産を遅らせて生産資源を再配分する。同社はAI向け需要独占による優位性を背景に、高利益なDDR5の増産と長期契約を通じた安定収益の確保を優先する方針だ。
Samsungは、次世代モバイル向けストレージ規格UFS 5.0を2026年第4四半期に量産する。従来比2倍超の転送速度と40%以上の電力効率改善を実現しており、オンデバイスAIの処理加速や薄型端末の設計自由度向上に寄与する。

Samsungは、n型とp型のトランジスタを上下に積層する3D積層型FETの実証に成功し、GAA以降の次世代微細化に向けた重要な成果を挙げた。42nmのゲートピッチで高密度化と電流制御の両立を示しており、将来的なロジックセルの面積削減が期待される。

中国のメモリメーカーが国産の24Gbチップを用いたDDR5モジュールを相次いで発表し、自給自足の段階を実用化へ進めている。大手メーカーがAI向け供給を優先し汎用品が不足する中、中国製DRAMは安定調達を支える現実的な選択肢として存在感を高めている。