テクノロジー
AI需要で揺れるDRAM調達、中国製24GbチップがDDR5製品に入り始めた
中国のメモリメーカーが国産の24Gbチップを用いたDDR5モジュールを相次いで発表し、自給自足の段階を実用化へ進めている。大手メーカーがAI向け供給を優先し汎用品が不足する中、中国製DRAMは安定調達を支える現実的な選択肢として存在感を高めている。
Company
Samsung Electronics
1969年設立、韓国の多国籍エレクトロニクス企業。スマートフォン・テレビ・半導体・メモリなど幅広いエレクトロニクス製品を手がけ、DRAM・NANDフラッシュなどの半導体分野で世界トップクラスのシェアを持つ。
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テクノロジー韓国政府、次世代パワー半導体を「第2のDRAM」へ。5,000億ウォン超のR&Dプロジェクト始動
韓国政府は次世代パワー半導体を国家の重要課題に掲げ、官民で約７５００億ウォンを投じる研究開発計画を始動させた。ＡＩや電動化に伴う需要増を見据え、海外依存度の高い化合物半導体の国産化と量産技術の確立を急ぎ、第２のメモリ産業への育成を目指す。
テクノロジー韓国半導体輸出、重量減でも輸出額急増 DRAMは5月に370%増
韓国の半導体輸出は、AI向け高帯域幅メモリ等の高付加価値製品へのシフトにより、出荷重量が減少する一方で輸出額が過去最高圏に達する逆転現象が起きている。限られた生産能力を高単価品へ優先配分する構造が、韓国の貿易収支を強力に押し上げている。
テクノロジーレーザーアニール技術の需要拡大：SiCから400層NAND、HBM実装までを支える次世代熱処理プロセス
半導体製造の微細化や構造の複雑化に伴い、熱ダメージを抑えつつ局所的な熱処理が可能なレーザーアニール技術の重要性が高まっている。次世代SiCパワー半導体の大口径化や積層NAND、HBMの製造における歩留まり向上を実現する鍵として期待されている。
テクノロジーHBFはメモリ規格から装置商戦へ、韓国勢がTCボンダーで先行争い
次世代メモリである高帯域幅フラッシュの商用化に向け、装置メーカーが製造に不可欠なTCボンダーの開発を加速させている。既存のHBM向け技術を転用しつつ、NAND特有の物性に対応した精密制御を実現できるかが、市場の主導権を握る鍵となる。
サイエンス電池の寿命と効率が劇的に変わる。酸素還元反応の限界を打ち破った「見えない引力」とは
KAISTなどの研究チームは、燃料電池の効率を阻む酸素還元反応を制御するため、触媒の構造ではなく周囲の局所電場を操作する新手法を開発した。陽イオンで電子の流れを導くことで、理想的な反応の選択性を従来の約4倍に高めるパラダイムシフトを実現した。
テクノロジーNVIDIA、ロボット訓練を数ヶ月から数日に短縮する「Cosmos 3」を無料公開：GPU市場の次の成長エンジンとなるか
NVIDIAが発表したCosmos 3は、テキスト・画像・動画・音声・アクションを単一モデルで処理する完全オープンのomnimodelだ。MoTアーキテクチャによる推論・生成の2タワー統合により物理AI訓練サイクルを数ヶ月から数日に短縮する可能性を持ち、Samsung・LGなど大手製造業の採用が始まった。物理AI基盤モデルのオープン化は、実装層での競争構造を変え、NVIDIA製GPU需要の次の成長エンジンとしても機能する戦略的な動きだ。
テクノロジーSamsung、HBM4Eサンプルを「世界初」出荷 48GB・最大3.6TB/sでAIメモリ競争を前倒し
Samsungが、次世代AI向けメモリ「HBM4E」（12層/48GB）のサンプル出荷を予定より前倒しして開始。帯域幅最大3.6TB/sの性能向上に加え、4nmロジックダイを活用した電力効率や熱特性の改善が鍵となる。AIメモリの競争軸が「単体スペック」から「製造統合力と安定供給」へと移るなか、業界初となるサンプル出荷の意義と、量産に向けた今後のハードルを読み解く。
テクノロジーもはや上から冷やすのは時代遅れ？SK hynix、HBMの中に冷却機構を直接埋め込む新技術「iHBM」を発表
AIデータセンターのGPUやAIアクセラレータは、高密度な電力消費による「熱」がボトルネックとなり性能が制限されている。これに対しSK hynixは、HBMパッケージ内部に直接冷却要素を埋め込む「iHBM」を発表し、熱源から直接冷却することで熱抵抗を30%削減、高負荷時でも安定した性能維持を可能にした。この技術は、次世代AIハードウェアの設計を根本から変える画期的なブレイクスルーである。
テクノロジーSamsung Electronics、18日間の歴史的ストライキを土壇場で回避。AI半導体供給網への影響と今後の課題
Samsung Electronicsの労働組合は、競合とのボーナス格差を背景に計画していた大規模ストライキを、政府の介入による労使間の暫定合意で回避した。これにより、AIデータセンター構築に不可欠なHBMやDRAMの供給に対する市場の深刻な懸念は一時的に後退し、グローバルな半導体サプライチェーンへの影響は免れた。
テクノロジーAIメモリ戦争の勝者と敗者：SK hynixとSamsungを分けた「ボーナス経営」という断層
SK hynixは営業利益の10%をボーナスプールに充当する制度を導入し、2026年Q1だけで約25億ドルを従業員に分配し、韓国の労働市場に新たな基準を打ち立てた。一方、SamsungではHBM市場での出遅れ、社内報酬格差による部門間の分断、そして4万5,000人超の半導体部門労働者による18日間のストライキが重なり、DRAM市場シェアとHBM顧客の流出リスクが高まっている。
テクノロジー供給不足の隙を突く。中国CXMTが最高8000MT/sのDDR5チップでデータセンター市場を席巻へ
生成AIの普及でDRAM需要が急増する中、大手3社によるHBMへのリソース集中が汎用DDR5の供給不足と価格高騰を招いている。中国のCXMTはDDR5技術でブレイクスルーを果たし、8000 MT/sのデータ転送速度を持つ24Gbダイの量産を開始、寡占市場に挑戦している。
