
DRAMとNANDの高騰はいつ終わるのか?Micron、Samsung、SK hynixが示す2028年の条件
AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。
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1969年設立、韓国の多国籍エレクトロニクス企業。スマートフォン・テレビ・半導体・メモリなど幅広いエレクトロニクス製品を手がけ、DRAM・NANDフラッシュなどの半導体分野で世界トップクラスのシェアを持つ。
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AI需要に伴うメモリー価格の高騰は、主要メーカーと大口顧客による供給枠の複数年契約やHBMの生産難化により、2027年以降も続く見通しだ。この供給不足はメーカーに巨額の利益をもたらす一方、消費者向け製品のコストを押し上げる要因となっている。

米Micronは決算説明会で、中国のCXMTとYMTCが市場シェアを伸ばしている現状を認めた。中国勢は国内需要を吸収する供給源として存在感を増しており、AI需要による世界的なメモリ供給逼迫が続く中で、国際的な需給や価格形成に波及し始めている。

SK hynixは、収益性が逆転した汎用DRAMの供給不足に対応するため、次世代メモリHBM4の量産を遅らせて生産資源を再配分する。同社はAI向け需要独占による優位性を背景に、高利益なDDR5の増産と長期契約を通じた安定収益の確保を優先する方針だ。
Samsungは、次世代モバイル向けストレージ規格UFS 5.0を2026年第4四半期に量産する。従来比2倍超の転送速度と40%以上の電力効率改善を実現しており、オンデバイスAIの処理加速や薄型端末の設計自由度向上に寄与する。

Samsungは、n型とp型のトランジスタを上下に積層する3D積層型FETの実証に成功し、GAA以降の次世代微細化に向けた重要な成果を挙げた。42nmのゲートピッチで高密度化と電流制御の両立を示しており、将来的なロジックセルの面積削減が期待される。

中国のメモリメーカーが国産の24Gbチップを用いたDDR5モジュールを相次いで発表し、自給自足の段階を実用化へ進めている。大手メーカーがAI向け供給を優先し汎用品が不足する中、中国製DRAMは安定調達を支える現実的な選択肢として存在感を高めている。

韓国政府は次世代パワー半導体を国家の重要課題に掲げ、官民で約7500億ウォンを投じる研究開発計画を始動させた。AIや電動化に伴う需要増を見据え、海外依存度の高い化合物半導体の国産化と量産技術の確立を急ぎ、第2のメモリ産業への育成を目指す。
韓国の半導体輸出は、AI向け高帯域幅メモリ等の高付加価値製品へのシフトにより、出荷重量が減少する一方で輸出額が過去最高圏に達する逆転現象が起きている。限られた生産能力を高単価品へ優先配分する構造が、韓国の貿易収支を強力に押し上げている。

半導体製造の微細化や構造の複雑化に伴い、熱ダメージを抑えつつ局所的な熱処理が可能なレーザーアニール技術の重要性が高まっている。次世代SiCパワー半導体の大口径化や積層NAND、HBMの製造における歩留まり向上を実現する鍵として期待されている。

次世代メモリである高帯域幅フラッシュの商用化に向け、装置メーカーが製造に不可欠なTCボンダーの開発を加速させている。既存のHBM向け技術を転用しつつ、NAND特有の物性に対応した精密制御を実現できるかが、市場の主導権を握る鍵となる。

KAISTなどの研究チームは、燃料電池の効率を阻む酸素還元反応を制御するため、触媒の構造ではなく周囲の局所電場を操作する新手法を開発した。陽イオンで電子の流れを導くことで、理想的な反応の選択性を従来の約4倍に高めるパラダイムシフトを実現した。

NVIDIAが発表したCosmos 3は、テキスト・画像・動画・音声・アクションを単一モデルで処理する完全オープンのomnimodelだ。MoTアーキテクチャによる推論・生成の2タワー統合により物理AI訓練サイクルを数ヶ月から数日に短縮する可能性を持ち、Samsung・LGなど大手製造業の採用が始まった。物理AI基盤モデルのオープン化は、実装層での競争構造を変え、NVIDIA製GPU需要の次の成長エンジンとしても機能する戦略的な動きだ。