テクノロジー
Micron、メモリー供給を16件の長期契約で囲い込む。高値市況が2030年までの交渉条件に
Micronが複数の主要顧客と2030年までの長期供給契約を締結したことは、AI需要によるメモリー不足が長期化する見通しを裏付けている。この契約は供給枠の確保と引き換えに高水準の下限価格を設定しており、同社の将来的な収益安定性を強固にするものだ。
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AI半導体
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テクノロジーメモリの壁をDRAMの下から崩す：QualcommのHBCが133 TB/sを叩き出す仕組み
QualcommがHBC（High Bandwidth Compute）技術を発表。LPDDRメモリ直下にコンピュートを3D積層するアーキテクチャでカード1枚あたり133 TB/sの実効帯域幅を実現し、HBM依存のNVIDIAアーキテクチャに対してコスト・電力効率・製造能力の三正面から挑む。
テクノロジーQualcomm、Dragonflyでデータセンター本格参入：Meta向けCPUとAI300で2028年を狙う
Qualcommはデータセンター向けの新ポートフォリオ「Dragonfly」を発表し、CPUやAI推論アクセラレータ、接続技術を統合したラック単位の提案に踏み出した。Metaとの提携やメモリ帯域の強化を通じ、AIエージェント時代に不可欠な電力効率と推論コストの低減を狙う。
テクノロジーDRAMウェハーの23%がAIに奪われた：コンシューマー向け価格が1四半期で最大107%高騰した理由
AI向け高帯域幅メモリ（HBM）の需要急増でDRAMウェハーが奪われ、コンシューマー向けDRAMが前四半期比で最大107%高騰した。この構造的な供給圧迫は2027〜2028年まで続く見通しで、PCは最大17%、スマートフォンは13%の価格上昇が予測されている。
テクノロジーMicron、AIメモリ不足で長期契約が急拡大 Q3売上は414億ドル
Micronの2026年度第3四半期決算は、AI需要に伴う価格上昇で過去最高の売上高を更新した。供給不足を背景に顧客との複数年にわたる長期契約が拡大しており、メモリ市場が従来の価格変動を伴う循環から安定供給を重視する構造へ移行しつつある。
テクノロジーSK hynixがNasdaq上場へ、AIメモリ増産の資金調達を米国市場に広げる
SK hynixは、AIメモリの増産に向けた資金調達のため、米国ナスダック市場への上場を申請した。最大約1,779万株の新株を発行し、調達した資金は次世代HBMの生産能力拡大に不可欠な龍仁の新工場建設やEUV露光装置の取得などに充てる計画だ。
テクノロジーOpenAIとBroadcom、「AIが設計したAIのためのチップ」である“Jalapeño”を発表
OpenAIは自社モデルを設計に活用することで、推論特化型チップ「Jalapeño」をわずか9ヶ月で量産段階へと到達させた。このチップは既存のGPUに比べ推論コストを大幅に削減する見込みであり、AIがAIインフラを加速させる新たな開発手法として注目される。
テクノロジーHBFは隣接型にすぎない：SanDiskが特許で保護するNAND直積層の技術構想
SanDiskが2025年9月取得の特許（US 12,430,274 B2）は、現行HBF（隣接型）を超えてNANDとGPUコアを垂直に直積層するアーキテクチャを先取り保護している。Gen 1サンプル出荷が2026年H2に迫る中、SK HynixとのOCP標準化も進行。AIストレージの次の形を解説する。
テクノロジーガラス基板が有機ABFの25年を終わらせる——80億ドル市場でTSMCとIntelが先頭を争う
TSMCとIntelが有機ABF基板からガラスへの置き換えを本格化。Counterpoint Researchは2030年に市場が80億ドルへ成長すると予測する。配線密度5倍・熱変形3分の1というガラスの物性が、AI半導体パッケージングの主役交代を促している。
テクノロジーSK hynix、HBM4から汎用DRAMへの戦略転換：収益構造の逆転と次世代メモリ市場の展望
SK hynixは、収益性が逆転した汎用DRAMの供給不足に対応するため、次世代メモリHBM4の量産を遅らせて生産資源を再配分する。同社はAI向け需要独占による優位性を背景に、高利益なDDR5の増産と長期契約を通じた安定収益の確保を優先する方針だ。
テクノロジー中国スパコン「LineShine」がTOP500で首位奪還、CPU単体で2EFLOPS超えの衝撃とAI競争における実態
中国の新型スーパーコンピュータ「LineShine」が、米国製部品に頼らず自国開発のCPUのみで2エクサフロップスを突破し、世界首位を獲得した。伝統的な計算性能で米国の技術封じ込めを打破した一方、AI向け演算性能では依然として課題が残る。
テクノロジーSamsungのUFS 5.0、10.8GB/s読み出しでオンデバイスAI端末の基盤を更新へ
Samsungは、次世代モバイル向けストレージ規格UFS 5.0を2026年第4四半期に量産する。従来比2倍超の転送速度と40％以上の電力効率改善を実現しており、オンデバイスAIの処理加速や薄型端末の設計自由度向上に寄与する。