Embedded Multi-die Interconnect Bridge

Embedded Multi-die Interconnect Bridge（EMIB）は、Intelが開発した2.5D半導体パッケージング技術である。パッケージ基板内に小型のシリコンブリッジを埋め込み、隣接する複数のダイ（チップレット）間を高密度かつ低遅延で接続する仕組みを持つ。CPU、GPU、HBMメモリなど異種のダイを一つのパッケージに統合するヘテロジニアス集積の中核技術として位置づけられている。

概要

EMIBはシリコンインターポーザ全体を用いる従来の2.5Dパッケージング手法とは異なり、必要な接続部分だけに小さなブリッジチップを配置する点が特徴である。これにより大面積のインターポーザを不要とし、コスト効率とパッケージ全体の反り耐性を高めることができるとされる。競合技術であるTSMCのCoWoS（Chip on Wafer on Substrate）とはエコシステムの構成が根本的に異なり、両者は基板材料や生産プロセスの面で互換性を持たない。

技術的位置づけ

EMIBはIntel Foundryが提供する先進パッケージング技術群の一つであり、Foveros（3D積層技術）と組み合わせて用いられることが多い。近年ではAIチップの大型化に伴い、既存の有機ABF基板が反り問題を抱える中、熱膨張係数がシリコンに近いガラス基板との組み合わせが次世代の有力な選択肢として検討されている。IntelはEMIBとガラス基板を組み合わせたパッケージング技術を展示会などで公開し、AI半導体向けの実装技術として提案している。

主要な動向

2026年に入り、EMIBを取り巻く動きが活発化している。2026年1月にはネプコン ジャパン 2026にて、Intelがガラス基板とEMIBを組み合わせた次世代パッケージング技術を披露した。2026年5月には、AI向け半導体の大型化に伴う基板反り問題を背景に、Intelがリオランチョ工場をガラス基板の世界初量産拠点として位置づける動きが報じられ、SKCやSamsung電機との量産競争が進んでいることが明らかになった。

さらに2026年6月には、SK HynixがIntelのEMIB技術を評価しているとの報道があり、AIブームによるTSMCの先端パッケージング能力不足を背景に、Intelのパッケージング技術が代替選択肢として注目されていることが示された。ただしCiti証券のアナリストは、EMIBとCoWoSのエコシステムが根本的に非互換であることや、ABF基板の生産能力がボトルネックとなることから、TSMCの主力受注に対する脅威は限定的だと分析している。同時期には、Intelの18Aおよび18A-Pプロセスの進展や、Lip-Bu Tan CEO体制下での先進パッケージング需要の拡大に関する報道も相次いでおり、EMIBはIntel Foundry事業の先端パッケージング戦略における重要な要素として扱われている。