Samsung、DRAM市場でSK hynixに首位明け渡す: HBM戦略の明暗が分ける未来とは?
2025年第1四半期の世界DRAM市場において、長年王座に君臨してきたSamsung Electronicsが、韓国のライバルであるSK hynixに市場シェアで逆転を許し、2位に後退したことが明らかになった。市場調査会 […]
Term
次世代のAIチップに採用される、積層型の超高速・広帯域メモリ規格。
全 69 件 / 6 ページ
2025年第1四半期の世界DRAM市場において、長年王座に君臨してきたSamsung Electronicsが、韓国のライバルであるSK hynixに市場シェアで逆転を許し、2位に後退したことが明らかになった。市場調査会 […]
Intelは、電子部品技術会議(ECTC)において、その先進的なチップパッケージング技術であるEMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)の重要なアップグレード版「EMIB-T […]
NVIDIAが、次世代の低電力DRAMモジュール「SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module)」の商用化計画に調整を加えた模様だ。当初、今年後半に市場 […]
半導体大手のMicronは、AIやデータセンターからの旺盛な需要と供給制約を背景に、DRAMおよびNANDフラッシュメモリの価格を2025年から2026年にかけて引き上げる計画を正式に発表した。この動きは、メモリ市場全体 […]
NVIDIAは年次開発者会議GTC 2025で、新世代のAIチップ「Blackwell Ultra」と将来のGPUアーキテクチャ「Vera Rubin」を発表した。Blackwell Ultraは2025年後半から出荷予 […]
NVIDIAのCEO Jensen Huang氏は、同社の四半期決算発表の場で、次世代AI GPU「Blackwell Ultra」と「Vera Rubin」の開発が予定通り進行していることを確認した。Blackwell […]
NVIDIAが2025年後半に投入予定の次世代AIサーバー向けGPU「Blackwell Ultra GB300」の詳細仕様が明らかになった。現行のGB200から大幅な性能向上を実現し、AI計算能力を約1.5倍に引き上げ […]
NVIDIAが次世代AIチップアーキテクチャ「Rubin」の投入時期を当初計画より約6ヶ月前倒しし、2025年後半にリリースする可能性が浮上した。台湾経済日報の報道によると、同社はTSMCなどのサプライチェーンパートナー […]
SK hynixが第6世代高帯域幅メモリ(HBM4)の製造プロセスを、当初計画していた5nmから最先端の3nmへと変更することを決定した。2025年後半からNVIDIAへの供給を開始する計画で、半導体業界における技術革新 […]
SK hynixが現行製品の30倍の性能を目指すという次世代HBMメモリの開発に乗り出した。この画期的な技術革新は、急速に成長するAI市場におけるHBMの重要性を反映したものと言える。 SK hynixの野心的な次世代H […]
中国の半導体メーカーCXMTが、予定を2年前倒しして高性能メモリHBM2の量産を開始したようだ。これは、中国の半導体産業にとって大きな飛躍であり、技術的自立への道のりを加速させる可能性のある出来事だが、グローバル競争の中 […]
JEDECが第4世代高帯域幅メモリ(HBM4)の暫定仕様を発表し、次世代のAIと高性能コンピューティング向けメモリ技術の方向性が明確になった。HBM4は前世代のHBM3から大幅な性能向上を実現し、データ集約型アプリケーシ […]