SamsungのUFS 5.0、10.8GB/s読み出しでオンデバイスAI端末の基盤を更新へ
Samsungは、次世代モバイル向けストレージ規格UFS 5.0を2026年第4四半期に量産する。従来比2倍超の転送速度と40%以上の電力効率改善を実現しており、オンデバイスAIの処理加速や薄型端末の設計自由度向上に寄与する。
Samsungは、次世代モバイル向けストレージ規格UFS 5.0を2026年第4四半期に量産する。従来比2倍超の転送速度と40%以上の電力効率改善を実現しており、オンデバイスAIの処理加速や薄型端末の設計自由度向上に寄与する。
Samsungは、n型とp型のトランジスタを上下に積層する3D積層型FETの実証に成功し、GAA以降の次世代微細化に向けた重要な成果を挙げた。42nmのゲートピッチで高密度化と電流制御の両立を示しており、将来的なロジックセルの面積削減が期待される。
Googleは次世代AIチップの製造において、TSMCへの過度な依存を脱却しサプライチェーンを多様化する。チップレット技術を採用し、演算部はTSMC、I/O部はSamsungが担う分業体制を検討することで、地政学的リスクの分散と性能向上を図る。
韓国の半導体輸出は、AI向け高帯域幅メモリ等の高付加価値製品へのシフトにより、出荷重量が減少する一方で輸出額が過去最高圏に達する逆転現象が起きている。限られた生産能力を高単価品へ優先配分する構造が、韓国の貿易収支を強力に押し上げている。
AIチップの大型化に伴い、従来の有機基板に代わるガラス基板技術が注目されており、2027年頃の商用化が見込まれている。TSMCやインテル、韓国メーカー各社が開発を加速させており、コスト削減や熱対策、高密度接続を実現する次世代の量産基板として期待される。
Samsungが、次世代AI向けメモリ「HBM4E」(12層/48GB)のサンプル出荷を予定より前倒しして開始。帯域幅最大3.6TB/sの性能向上に加え、4nmロジックダイを活用した電力効率や熱特性の改善が鍵となる。AIメモリの競争軸が「単体スペック」から「製造統合力と安定供給」へと移るなか、業界初となるサンプル出荷の意義と、量産に向けた今後のハードルを読み解く。
AI普及に伴う半導体チップの大型化で、既存の有機ABF基板の反り問題が深刻化しており、熱膨張係数がシリコンに近いガラス基板が次世代パッケージングの有力候補として浮上している。Intelはリオランチョ工場をガラス基板の世界初量産拠点として位置づけ、SKCも2026年末の商業量産を目指し、市場は2034年に42億ドル規模への急成長が予測されている。
Samsung Electronicsの労働組合は、競合とのボーナス格差を背景に計画していた大規模ストライキを、政府の介入による労使間の暫定合意で回避した。これにより、AIデータセンター構築に不可欠なHBMやDRAMの供給に対する市場の深刻な懸念は一時的に後退し、グローバルな半導体サプライチェーンへの影響は免れた。
AIデータセンター需要によるHBM増産がDDR5メモリ供給を圧迫し価格が高騰する中、中国のDRAM最大手CXMTは急速に業績を回復させ、IPOでさらなる拡張を計画している。しかし元Samsung幹部は、中国勢の積極的な設備投資により2027年後半にはメモリが供給過剰となり、大幅な価格下落に転じる可能性を指摘した。
SK hynixは営業利益の10%をボーナスプールに充当する制度を導入し、2026年Q1だけで約25億ドルを従業員に分配し、韓国の労働市場に新たな基準を打ち立てた。一方、SamsungではHBM市場での出遅れ、社内報酬格差による部門間の分断、そして4万5,000人超の半導体部門労働者による18日間のストライキが重なり、DRAM市場シェアとHBM顧客の流出リスクが高まっている。
韓国の5月上旬輸出統計では、半導体が輸出全体の46.3%を占め、前年比149.8%増と記録的な伸びを示した。これはAIサーバー向けメモリ需要の急増によるもので、DRAM単価は前年比497.4%上昇するなど、その価格高騰は2027年以降も続く構造的な供給不足を示唆している。
AIチップ需要の急増によりTSMCの先端プロセスが飽和し、AppleはMac miniの販売停止とMac Studioの供給遅延に直面している。この事態を受け、AppleはTSMCへの依存を解消するため、IntelとSamsung Electronicsとの交渉を進め、マルチファウンドリ戦略への転換を図っている。