テクノロジー
Samsung、DRAM市場でSK hynixに首位明け渡す： HBM戦略の明暗が分ける未来とは？
2025年第1四半期の世界DRAM市場において、長年王座に君臨してきたSamsung Electronicsが、韓国のライバルであるSK hynixに市場シェアで逆転を許し、2位に後退したことが明らかになった。市場調査会 […]
テクノロジーSK hynix、世界最高321層NAND搭載UFS 4.1ストレージ発表：薄型・高性能でオンデバイスAI時代を加速、PC SSDも視野に
韓国のメモリ大手SK hynixは、世界最高層となる321層1Tb TLC（Triple Level Cell）4D NANDフラッシュメモリを採用したUFS (Universal Flash Storage) 4.1ソ […]
テクノロジーSK hynix、驚異の2TB/秒処理能力を持つ次世代メモリHBM4を世界初公開
SK hynixは、2024年4月23日に米国カリフォルニア州サンタクララで開催されたTSMC North America Technology Symposium 2025において、次世代の高帯域幅メモリであるHBM4 […]
テクノロジーSK hynix、IntelのNAND事業買収を完了 — 最終支払い19億ドル
SK hynixはIntelのNANDフラッシュメモリ事業買収の最終段階を完了し、合計約88.5億ドルの取引が決着した。この戦略的買収により、SK hynixは半導体市場での競争力を強化する一方、Intelは成長分野への […]
テクノロジー2025年第2四半期のDRAM価格動向：下落緩和とHBM上昇へ
市場調査会社TrendForceの最新の分析によると、2025年第2四半期の従来型DRAM価格は0〜5%の小幅下落にとどまる一方、HBM（高帯域幅メモリ）を含めた平均価格は3〜8%上昇する見通しだ。 DRAM市場全体の価 […]
テクノロジーSK hynix、世界初の12層HBM4メモリを出荷 – 36GB容量・2TB/秒を実現
SK hynixが世界に先駆けて12層HBM4メモリのサンプルを主要顧客に向けて出荷した。現在サンノゼで開催中のGTC 2025でも開発モデルを展示中だ。この次世代AI向け超高性能DRAMは最大36GB容量と2TB/秒超 […]
テクノロジーSK hynix、IntelのNAND事業買収の完了間近 – 88億ドル規模の大型M&A
SK hynixが2020年10月に発表したIntelのNAND事業の買収が、いよいよ完了間近となっている。総額88億4400万ドル規模のこの買収は、韓国企業による過去最大のM&Aであり、SK hynixのエンタ […]
テクノロジーNVIDIA、AI PC向けに独自の新メモリ規格「SOCAMM」を開発、Samsung・SK hynixらと協業
NVIDIAが、AI PCの普及を加速するため、新メモリ規格「SOCAMM」の開発を進めていることが明らかになった。Samsung、SK hynix、Micronといった主要メモリメーカーと協業し、小型ながら高性能なメモ […]
テクノロジー2025年、世界で18の新規半導体工場が着工へ―AIブームで先端ノード需要が加速
半導体産業団体SEMIの最新の四半期レポート「World Fab Forecast」によると、2025年に世界で18の新規半導体製造施設（ファブ）の建設が開始される見通しとなった。これらの施設の大半は2026年から202 […]
テクノロジー韓国、世界最大の半導体産業団地を前倒し承認 – 総投資額30兆円規模
韓国政府は12月26日、用地面積728ヘクタールに及ぶ世界最大規模の半導体産業拠点となる「龍仁半導体国家産業団地」の造成計画を、当初の予定より3ヶ月前倒しで承認した。総投資額300兆ウォン（約30兆円）規模のこのメガプロ […]
テクノロジー中国CXMT、DRAM市場シェア15%へ急拡大か – 価格破壊の懸念も浮上
中国の半導体メーカーChangxin Memory Technologies（CXMT）が、グローバルDRAM市場で急速にシェアを拡大している。Silicon Motion Technologyの総経理Gou Jiazh […]
テクノロジーSK hynix、最先端3nmプロセスでHBM4を2025年後半から量産へ – NVIDIAとの協業を強化
SK hynixが第6世代高帯域幅メモリ(HBM4)の製造プロセスを、当初計画していた5nmから最先端の3nmへと変更することを決定した。2025年後半からNVIDIAへの供給を開始する計画で、半導体業界における技術革新 […]
