テクノロジー
TSMCのCoWoS不足で外注拡大、Intelと台湾OSATでは商機の中身が違う
AI半導体向け先端パッケージ技術の需要急増を受け、TSMCは供給不足を解消するため外部企業への委託や連携を拡大している。この状況は、Intelの競合技術や台湾OSAT各社独自のパッケージ方式に商機をもたらし、供給網の勢力図に変化を与えている。
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AI半導体
AI Semiconductor
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テクノロジー台湾DRAMメーカーNanyaが2027年に2,000億台湾ドル超を投資へ：新工場は2028年量産開始の計画
南亜科技は2027年に2,000億台湾ドル超を投じる予備計画を示した。価格急騰で得た現金を新工場へ回し、2028年までに月産3万枚の能力を立ち上げる。
テクノロジーHBMを横に広げるV-DieとMOSAIC、積層の向きを変えて熱と帯域に挑む
DRAMダイを立てるV-DieとMOSAICが、HBMの放熱と実装制約に別の解を示した。量産には多チャネル帯域、給電、冷却寿命、歩留まりを同じ試作で実証する必要がある。
サイエンス厚さ14μmのチップ10層超積層に成功、HBM4量産の目安30μmとの距離
POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。
テクノロジーIntel EMIB-Tは9倍超レチクル級AIシステムを120mm角超に統合
IntelのEMIB-Tは、9倍超のレチクル相当を収める120mm角超のパッケージと、25µm接続を別試験で示した。HBM4E級の高速化と量産時の反り・歩留まりを両立できるかが次の試金石となる。
テクノロジーSamsungの4・5nmが約15%値上げか？ファウンドリが新規顧客を選ぶ時代に
SamsungはAI向け需要の拡大を受け、先端の4nmプロセス等で新規顧客向けの供給単価を約15%引き上げた。2026年後半のフル稼働を見据え、値引きによる受注確保から採算重視へ舵を切る方針だが、成否は歩留まりの安定と収益改善の継続にかかっている。
テクノロジー265億ドル調達でAlibaba超えのSK hynix上場、消えないPER6倍未満の壁
SK hynixが2026年7月10日にNASDAQ上場し265億ドルを調達、外国企業史上最大のIPOとなった。だが予想PERは業界中央値を大きく下回ったままで、Korea discount解消の実証にはなお課題が残る。
テクノロジーMicron、米国投資を2500億ドル超へ。NYのDRAM供給は2030年以降に
Micronは2035年までに米国内で2500億ドル超を投じる計画を発表し、ニューヨーク州の新工場で基礎工事を開始した。供給網確保のため材料調達も強化するが、新工場の稼働は2030年以降となる見通しで、巨額投資の成果が出るまでには長期を要する。
テクノロジーブラウザAIをモバイルと同じモデルで、Google「LiteRT.js」の狙いと制約
Googleは、ブラウザ上で機械学習モデルを実行する新ランタイム「LiteRT.js」を発表した。モバイル向け形式をWebに持ち込むことで、変換の手間を省きデバイス間でのモデル共用を容易にするほか、WebGPUや将来的なNPUの活用も目指す。
テクノロジーSamsungがPC向けAIチップ「GAIA」を開発か、4nmで2027年量産を視野
SamsungはPC向けAIアクセラレータ「GAIA」を開発中であり、2027年の量産を目指してレノボ等と試作検証を進めている。4nmプロセスを採用し、メモリ側で演算を行う技術との連携も検討されるが、実用化には消費電力やソフト対応が課題となる。
テクノロジーSK hynixの大連第2工場、再始動計画が浮上 NAND月5万枚と2027年許可の壁
SK hynixが中国の大連第2工場への設備投資を再開する。2027年上期までの稼働を目指しており、韓国の新工場完成に先んじてNANDの供給能力を増強する狙いだ。ただし、計画の完遂には米国の輸出規制に伴う装置搬入の許可継続が不可欠である。
テクノロジー400ドル以下スマホは22%減、400ドル超は5.7%増。メモリ高騰が生む二極化の正体
Omdiaは2026年7月7日公開のブログで、AI需要によるメモリ高騰を背景に400ドル以下スマホの出荷が2026年に前年比22%超減る一方、400ドル超は5.7%増えると予測した。二極化の構造とメーカーへの影響を分析する。