
Samsung、DDR4メモリ生産を2025年末に終了へ – DDR5・HBMへシフト加速、市場への影響は?
Samsung Electronicsが、広く普及しているDDR4メモリモジュールの一部について、2025年末までに生産を終了する計画であることが台湾の工商時報によって報じられている。背景には、より新しいDDR5やAI向 […]
Company
1978年設立、アメリカ合衆国の半導体メモリメーカー。DRAM、NAND型フラッシュメモリ、HBMなどのメモリ製品を手がけ、NASDAQに上場している。
全 253 件 / 22 ページ

Samsung Electronicsが、広く普及しているDDR4メモリモジュールの一部について、2025年末までに生産を終了する計画であることが台湾の工商時報によって報じられている。背景には、より新しいDDR5やAI向 […]

半導体メモリの標準化をリードするJEDEC Solid State Technology Associationは、待望の広帯域メモリ(HBM)の新規格「HBM4」を定めた「JESD270-4」を正式に発表した。この新規 […]
Samsung Electronicsが主要なメモリーチップであるDRAMとNANDフラッシュの価格を最大5%引き上げる方向で調整していることが明らかになった。背景には、AI(人工知能)分野での需要急増や、米国の追加関税 […]

半導体大手のMicronは、AIやデータセンターからの旺盛な需要と供給制約を背景に、DRAMおよびNANDフラッシュメモリの価格を2025年から2026年にかけて引き上げる計画を正式に発表した。この動きは、メモリ市場全体 […]

中国の清華紫光(Tsinghua Unigroup)の子会社である中国のUNIS Flash Memory(紫光閃存)が、コンシューマー向けPCIe 5.0 NVMe SSDの新製品「UNIS SSD S5」および「UN […]

SK hynixはIntelのNANDフラッシュメモリ事業買収の最終段階を完了し、合計約88.5億ドルの取引が決着した。この戦略的買収により、SK hynixは半導体市場での競争力を強化する一方、Intelは成長分野への […]

TechInsightsの最新調査によると、TSMCがアリゾナ州フェニックスに建設中の最新鋭半導体工場(Fab 21)におけるウェハー製造コストは、台湾国内での製造と比較して約10%高い程度であることが明らかになった。こ […]

NVIDIAは今後4年間で米国の半導体サプライチェーンに数千億ドルを投資する計画を発表した。同社CEO Jensen Huang氏は、全体で約5,000億ドル相当の電子機器を調達予定であり、そのうち「数千億ドル」を米国内 […]

ベトナム政府が同国初となる半導体ウェハー製造施設(ファブ)の建設計画を正式承認した。総額12.8兆ベトナムドン(約748億円)を投じるこのプロジェクトは、2030年までの完成を目指しており、同国が2050年までに世界の半 […]

Donald Trump大統領が議会において、半導体産業支援のためのCHIPS法の資金を国家債務の返済に充てるべきだと訴えた。この発言は、前Biden政権下で成立した超党派の法律に対する、Trump大統領の最も強い批判と […]

Micronは、同社初となるEUV(Extreme Ultra Violet:極端紫外線)リソグラフィ技術を採用した第6世代10nmクラス「1γ(1-gamma)」製造プロセスによる16Gb DDR5メモリの出荷を開始し […]
KIOXIAとSanDiskは、共同開発した第10世代3D NANDフラッシュメモリ技術を発表した。この新技術は、インターフェース速度、ビット密度、電力効率を大幅に向上させ、AI時代におけるデータストレージの進化を牽引す […]