
中国DUV量産報道の裏で、ASML対中売上は株価急落より先に33%から16%縮小
上海Aishengnaが液浸DUV露光装置の量産を開始したと報じられた。ASMLの2026年出荷計画130台に対し年5台にとどまり、輸出規制強化MATCH Actの中で国産化を急ぐ中国の切迫感を映す動きだ。
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1984年設立、オランダの企業。半導体製造に用いる露光装置を手がけ、先端プロセスに不可欠なEUV露光装置を世界で唯一供給する。
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上海Aishengnaが液浸DUV露光装置の量産を開始したと報じられた。ASMLの2026年出荷計画130台に対し年5台にとどまり、輸出規制強化MATCH Actの中で国産化を急ぐ中国の切迫感を映す動きだ。

中国はEUVなしで7nm SoCを商用化したが、DUV多重露光は微細化に伴い工程と位置合わせを増やす。ZEISSの指摘を基に、量産性とHuaweiの別解を検証する。

CXMTの2026年末DRAMウェハー投入能力はMicronの9割超に迫る見通しだ。だがビット出荷量、製造コスト、HBM量産力ではなお差が残り、同じ月産枚数でも供給価値は異なる。

IntelはHigh-NA EUVを使ったPanther Lakeの一部を初めて顧客出荷した。18A全体の切り替えではなく、特定レイヤーを従来型EUVと二重認定した量産実証である。

2nmプロセスで70%歩留まりを達成し、Teslaとの165億ドル契約を獲得したSamsung Foundryが、凍結していた1.4nm(SF1.4)開発を再始動。2029年量産を目指すが、TSMCに1年・Intelに最大2年遅れる競合環境の中で、その実現可能性をどう見るか。

IBMが世界初のサブ1nm半導体技術「ナノスタック」を発表。トランジスタを3次元に積層する新設計で爪サイズのチップに約1000億個を集積し、2nmチップ比で最大50%の性能向上または70%の省エネを実現した。量産化は5年後の見通しで、Rapidusなどとの製造ライセンス展開が焦点になる。

オランダの研究機関TNOとASMLは、次世代光チップの産業化に向けた提携を発表した。建設中のパイロットラインに露光装置や計測技術を導入し、製造工程の安定性を高めることで、研究段階から高品質な量産体制への移行を加速させる狙いがある。

米主導の半導体供給網構想にオランダが正式参加し、ASMLの製造装置を巡る実務的な輸出統制が強化される。米国はMATCH法案を通じて同盟国に規制の足並みを揃えるよう迫っており、先端AIチップのみならず幅広い製造工程の管理を目指している。

米商務長官がASMLのEUV露光装置の中国流出疑惑を提起したが、同社は装置の厳格な管理体制を理由にこれを全面的に否定した。米政府は決定的な証拠を提示しておらず、次世代技術を開発する新興企業への支援という政治的背景との関連も指摘されている。

ASML CEO Christophe Fouquetが「欧州に2nmファブを作っても、ウェハーのほとんどは米国に流れる」と断言した。欧州委員会がChips Act 2.0(1200億ユーロ計画)を発表した2週間後に出た「製造より需要が先」という発言は、EU政策の設計思想そのものへの批判だ。先端AI向けチップの購入の約80%を米国が占めるとされる中、欧州が需要創出なき製造投資を続ければ「他地域のための工場」になりかねないという警告の重さを読み解く。

シリコンの限界を突破する次世代材料として、原子レベルで薄い2D材料を用いたトランジスタが注目されている。imecらの共同研究により、300mmウェハー上で業界標準の微細な統合プロセスが実証され、量産化に向けた大きな一歩を記した。

中国のPrinano社は、光を使わずスタンプ方式で回路を形成するナノインプリント技術を用いた半導体製造装置を開発した。光学系が不要なため低コストで、輸出規制下にある中国でフォトニクス半導体などの量産に向けた新たな選択肢として注目されている。