
NVIDIA、次世代メモリSOCAMMの採用を「Rubin」まで延期か? Blackwellでのデビュー見送りの背景とAI戦略への影響
NVIDIAが、次世代の低電力DRAMモジュール「SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module)」の商用化計画に調整を加えた模様だ。当初、今年後半に市場 […]
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1983年設立、韓国の大手メモリ半導体メーカー。DRAM、NAND型フラッシュメモリ、HBM(高帯域幅メモリ)を主力製品とし、世界メモリ市場で上位シェアを持つ。
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NVIDIAが、次世代の低電力DRAMモジュール「SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module)」の商用化計画に調整を加えた模様だ。当初、今年後半に市場 […]
AI(人工知能)やHPC(高性能コンピューティング)の進化が加速する中、その性能を左右するメモリ技術への要求は高まる一方だ。Samsung Electronicsが、次世代広帯域メモリ「HBM4」において、発熱問題の抜本 […]

2027年、初代iPhoneの登場から20年という大きな節目を迎える。この記念すべき年に、Appleが再び世界を驚かせるような革新的なiPhoneを準備しているとの情報が、海外メディアやサプライチェーン情報筋からもたらさ […]
米・NEO Semiconductorが、メモリ業界に大きな変革をもたらす可能性を秘めた新たな3D X-DRAM技術、「1T1C(1トランジスタ・1キャパシタ)」および「3T0C(3トランジスタ・0キャパシタ)」ベースの […]

長らくベールに包まれてきた任天堂の次世代ゲーム機「Nintendo Switch 2」。その心臓部と目されるマザーボードがリークされ、詳細な分析によって、その謎に包まれたスペックが明らかになりつつある。中国のテクノロジー […]

2025年秋登場見込みのiPhone 17シリーズで、RAMが12GBに増強されるとの噂が浮上している。これはApple Intelligenceの性能向上を目的とした動きと見られるが、全モデルに適用されるかはまだ不透明 […]

SK hynixは、2024年4月23日に米国カリフォルニア州サンタクララで開催されたTSMC North America Technology Symposium 2025において、次世代の高帯域幅メモリであるHBM4 […]

Googleが自社開発のAIチップに搭載するHBM3E(High Bandwidth Memory 3E)メモリについて、これまで採用を検討していたとされるSamsung Electronics(以下、Samsung)を […]

Samsung Electronicsが、広く普及しているDDR4メモリモジュールの一部について、2025年末までに生産を終了する計画であることが台湾の工商時報によって報じられている。背景には、より新しいDDR5やAI向 […]

半導体メモリの標準化をリードするJEDEC Solid State Technology Associationは、待望の広帯域メモリ(HBM)の新規格「HBM4」を定めた「JESD270-4」を正式に発表した。この新規 […]

半導体大手のMicronは、AIやデータセンターからの旺盛な需要と供給制約を背景に、DRAMおよびNANDフラッシュメモリの価格を2025年から2026年にかけて引き上げる計画を正式に発表した。この動きは、メモリ市場全体 […]

SK hynixはIntelのNANDフラッシュメモリ事業買収の最終段階を完了し、合計約88.5億ドルの取引が決着した。この戦略的買収により、SK hynixは半導体市場での競争力を強化する一方、Intelは成長分野への […]