テクノロジー
Tesla AI5チップ、設計完了（テープアウト）確認：2年の遅れと「Blackwell超え」の現実
Teslaは次世代AIアクセラレータ「AI5」のテープアウトを達成し、SamsungとTSMCによる分担生産で2027年の量産を目指している。しかし、AI5の遅延によりCybercabへの搭載は次世代車両更新サイクルまでずれ込む見込みで、コストと消費電力あたりの性能比を追求した設計となっている。
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テクノロジー輸出規制3年で国産設備50%超：制裁がYMTCの半導体自立を加速させた皮肉
米国からの制裁下にあるYMTCは、武漢に30億ドル超を投じ新工場3棟を建設し、国産設備比率50%超の生産ラインでNANDフラッシュの生産能力を大幅に拡張している。これは制裁が中国半導体産業の国産化を加速させるという皮肉な結果を生み出しており、2026年末の世界シェア15%獲得を目指す。
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サイエンス光変換効率が従来の1万倍に。ファンデルワールス材料が拓く「次世代フォトニックチップ」の衝撃
アアルト大学と北京大学の国際研究チームは、極薄で脆いファンデルワールス材料にアルミニウムの保護層を施してから微細加工を施すことで、光回路の主役となるナノ構造を形成する新技術を開発した。このブレイクスルーにより、電子回路の限界を克服し、高速かつ省電力な次世代光コンピューティングの実現に道が開かれる。
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テクノロジー30年前の「雨の木曜日」に決まった32GB制限：FAT32が2TBへ解放される背景
WindowsのFAT32フォーマットにおける32GB制限は、技術的制約ではなく1994年の一開発者の判断が原因だった。MicrosoftはWindows 11 Insider Previewで、コマンドラインからのFAT32フォーマット上限を2TBに引き上げた。この変更は、特定の環境で依然として重要なFAT32の利用を促進し、既存のハードウェアエコシステムに恩恵をもたらす。
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テクノロジー毎分150億トークンの代償：AI業界を覆うコンピュート配給制の実態
エージェントAIの急速な普及が、AI業界の計算資源を食い尽くしつつある。OpenAIのAPIが処理するトークン量は2025年10月の毎分60億から、2026年3月末には毎分150億へと2.5倍に膨れ上がったとWall S […]
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テクノロジー288MBキャッシュに52コア、Intel Nova LakeがデスクトップCPUの階層を消す
IntelのデスクトップCPUロードマップが大きく動き出した。次世代「Nova Lake」（Core Ultra 400シリーズ）の詳細なSKUリストが複数のリーカーから流出し、最上位モデルは52コア・288MBキャッシ […]
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テクノロジー2次元空間に描く1000倍速の軌跡。シリコン限界を突破する「液体金」基板の衝撃
1960年代から半世紀以上にわたり、人類の計算能力はシリコンという単一の元素によって牽引されてきた。2年ごとにトランジスタの実装密度が倍増するという「ムーアの法則」は、部屋を占拠するほどの巨大なメインフレームを、我々のポ […]
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テクノロジーSamsung未来技術育成の垂直ダイ研究、HBM4比でI/O 10倍・帯域4倍を提示
Samsungの未来技術育成事業に採択された垂直ダイ集積パッケージング研究が、既存HBMの構造制約を崩す候補として浮上している。Samsung Science & Technology Foundationの研究 […]
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テクノロジーQualcomm、輸出規制中のCXMTと組んでスマホ向けDRAMを開発か？PoP積層が生んだ調達戦略の抜け穴とは
スマートフォン向けDRAM市場に、静かな地殻変動が起きている。AI向けHBM（高帯域幅メモリ）の需要が爆発した2026年、Samsung・SK hynix・Micronの大手3社はこぞって製造能力をHBMへシフトした。そ […]
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テクノロジー前払い30%・5年契約——ビッグテックがDRAM争奪戦に「降伏」した理由
2026年第1四半期、Samsung Electronicsが叩き出した営業利益は57.2兆ウォン（約6兆1,000億円）。前年同期の6.69兆ウォン（7,100億円）から755%増という数字は、半導体業界の歴史に刻まれ […]
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サイエンス超伝導方式の限界を突き崩すか。既存インフラで量子チップの大量生産に道を開く「GAAトランジスタ転用」の勝機
現代の高度な情報社会を根底で支えているのは、シリコンを中心とした半導体技術の飽くなき微細化の歴史である。数十年におよぶムーアの法則の追求により、現在チップ上に集積されるトランジスタのサイズは数ナノメートルの領域へと突入し […]
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テクノロジーなぜIntelは今、GaNチップに賭けるのか。TSMCが撤退した市場で起きていること
パワー半導体分野で長年解けていなかった課題がある。GaN（窒化ガリウム）トランジスタは優れた電力変換性能を持つが、制御回路はシリコンチップとして別個に製造するしかなかった。2つのチップ間の信号遅延と実装コストが、GaNの […]