
14nmでAI訓練に挑む中国DF1000、3D積層が移す競争のボトルネック
中国の東方算芯は、米国の輸出規制を背景に14nmプロセスと3D積層技術を組み合わせたAIチップ「DF1000」を発表した。論理回路とDRAMを垂直に重ねる設計で高いメモリ帯域を実現したが、量産歩留まりや実用的なソフト環境の構築が今後の課題である。

中国の東方算芯は、米国の輸出規制を背景に14nmプロセスと3D積層技術を組み合わせたAIチップ「DF1000」を発表した。論理回路とDRAMを垂直に重ねる設計で高いメモリ帯域を実現したが、量産歩留まりや実用的なソフト環境の構築が今後の課題である。

AIブームで記録的決算が続くメモリ半導体市場だが、Samsung株は逆に下落した。新工場着工から量産まで3年超、SK hynixの本格増産は2034年目標という供給ラグと、過去2度のブーム&バストサイクルとの定量比較から今回の高騰の行方を検証する。

TSMCの2026年6月の売上高は、AI向け先端半導体の旺盛な需要を背景に過去最高を更新した。四半期ベースでも前年同期比36.0%増と急成長しており、2027年まで供給不足が続く見通しの中、増産投資と次世代プロセスの立ち上げを加速させている。

韓国の研究チームは、単一の二セレン化白金薄膜内に半金属と半導体の領域を連続して形成し、金属電極との接合部で生じる接触抵抗を解消する技術を開発した。原子レベルの観察で電子の渋滞がないことを証明しており、次世代チップの低消費電力化に貢献する。

Intelがアイルランド・Leixlipに50億ユーロを追加投資。3カ月前の142億ドルでの株式買い戻しと合算すると約199億ドルが集中する一方、独・ポーランドの新工場計画は完全撤回されており、欧州戦略の実態は「選択と集中」にある。

TeslaのAI5でSamsung向け2nm設計がテープアウトした。2027年の生産計画に向け、試作、認定、歩留まりとTSMC版との同等性が次の検証点となる。

SK hynix CEOは2027年に史上最悪のメモリ供給不足を予測した。AI需要がDRAMとNANDへ広がる一方、龍仁と清州の増産設備は2027年から2029年に段階的に立ち上がる。

AI半導体向け先端パッケージ技術の需要急増を受け、TSMCは供給不足を解消するため外部企業への委託や連携を拡大している。この状況は、Intelの競合技術や台湾OSAT各社独自のパッケージ方式に商機をもたらし、供給網の勢力図に変化を与えている。
KAISTなどの研究チームが12万枚超のMoS₂片を自動分類し、1,615個のFETを評価。層数ごとの電流とスイッチ性能の差を統計で捉え、2D半導体設計のデータ基盤を築いた。

AppleはAI性能を早期に強化するため、M6 ProとMaxの開発を見送り、M7世代へ設計資源を集中させる方針だ。M7はメモリ帯域を大幅に拡張してAI演算を効率化する計画だが、この戦略により上位Macの更新周期が変則的になる可能性がある。

SEALSQとGlobalFoundriesが、耐量子暗号の再利用IPと量子制御用CryoCMOSを共同開発する。米政府の2030年末準拠期限が、標準化後の認証・量産競争を押し進める。

南亜科技は2027年に2,000億台湾ドル超を投じる予備計画を示した。価格急騰で得た現金を新工場へ回し、2028年までに月産3万枚の能力を立ち上げる。