テクノロジー
Appleの中国製メモリ調達に米規制の壁、2027年末から連邦政府向け端末を制限
Appleの中国製メモリ調達は直ちに全面禁止されない。一方、CXMTとYMTCを名指しする米連邦調達規制が2027年末に発効し、連邦向け端末の供給元確認を迫る。
Topic
メモリ・ストレージ
Memory & Storage
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テクノロジーCXMT製DDR5は大手3社と比較して性能面で劣る？ASUSのオーバークロッカーはロット差を指摘
CXMT製DDR5の48GBキットがASUS環境で8600 MT/s動作を記録した。一次タイミングの実時間とロット差を検証し、量産品で確認すべき条件を読み解く。
テクノロジーCXMT、DRAMウェハー投入能力でMicronの9割超へ 2026年末推計
CXMTの2026年末DRAMウェハー投入能力はMicronの9割超に迫る見通しだ。だがビット出荷量、製造コスト、HBM量産力ではなお差が残り、同じ月産枚数でも供給価値は異なる。
サイエンス次世代メモリの「熱の壁」を突破。反強磁性体がピコ秒動作へ向かう新設計を東大らが実証
次世代メモリ材料として期待されるカイラル反強磁性体において、膜厚を30ナノメートル以下に薄膜化し放熱を最適化することで、熱に頼らない超高速なスピン反転制御が可能となった。これにより、従来の熱緩和による速度制限を打破する道が開かれた。
テクノロジーHBM4からHBM5までを同時進行、Samsungが設計・接合・認証を横断採用
SamsungはHBMの設計からパッケージ、顧客認証までを横断する経験者採用を開始した。HBM4の増産や次世代品の開発を見据え、工程間の連携を強めることで開発期間の短縮と量産歩留まりの改善を図り、AIメモリ市場での競争力を高める狙いだ。
テクノロジーSamsung営業利益19倍でも株価10%安、メモリ新工場は2034年でも間に合わない
AIブームで記録的決算が続くメモリ半導体市場だが、Samsung株は逆に下落した。新工場着工から量産まで3年超、SK hynixの本格増産は2034年目標という供給ラグと、過去2度のブーム&バストサイクルとの定量比較から今回の高騰の行方を検証する。
テクノロジー2027年にメモリ不足が最悪化へ、SK hynixの増産がすぐ効かない理由
SK hynix CEOは2027年に史上最悪のメモリ供給不足を予測した。AI需要がDRAMとNANDへ広がる一方、龍仁と清州の増産設備は2027年から2029年に段階的に立ち上がる。
サイエンス熱を出さない「1原子メモリ」誕生へ。東大が電流ゼロでデータを読み書きする新原理を実証
東京大学の研究グループは、電流を一切使わず量子力学的な「力」のみで単一原子の磁気情報を読み書きする技術を世界で初めて開発した。この手法はジュール熱による発熱や誤動作を防げるため、究極の高密度メモリ実現に向けた画期的な成果である。
テクノロジー台湾DRAMメーカーNanyaが2027年に2,000億台湾ドル超を投資へ：新工場は2028年量産開始の計画
南亜科技は2027年に2,000億台湾ドル超を投じる予備計画を示した。価格急騰で得た現金を新工場へ回し、2028年までに月産3万枚の能力を立ち上げる。
サイエンス厚さ14μmのチップ10層超積層に成功、HBM4量産の目安30μmとの距離
POSTECH研究チームが低温低圧接合で厚さ14マイクロメートルのシリコンチップを10層超で安定積層したと発表した。12層HBM比で約4倍の密度を同一高さ比較で確認したが、実証はDRAM回路を持たないテストチップにとどまり、実HBMへの統合や歩留まりデータはまだ示されていない。
テクノロジー265億ドル調達でAlibaba超えのSK hynix上場、消えないPER6倍未満の壁
SK hynixが2026年7月10日にNASDAQ上場し265億ドルを調達、外国企業史上最大のIPOとなった。だが予想PERは業界中央値を大きく下回ったままで、Korea discount解消の実証にはなお課題が残る。
テクノロジーSK hynixの大連第2工場、再始動計画が浮上 NAND月5万枚と2027年許可の壁
SK hynixが中国の大連第2工場への設備投資を再開する。2027年上期までの稼働を目指しており、韓国の新工場完成に先んじてNANDの供給能力を増強する狙いだ。ただし、計画の完遂には米国の輸出規制に伴う装置搬入の許可継続が不可欠である。